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1-Zoll-AlN-Einkristall-Aluminiumnitrid-Wafer 400 μm S / P / R-Qualität

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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1-Zoll-AlN-Einkristall-Aluminiumnitrid-Wafer 400 μm S / P / R-Qualität

1-Zoll-AlN-Einkristall-Aluminiumnitrid-Wafer 400 μm S / P / R-Qualität
1-Zoll-AlN-Einkristall-Aluminiumnitrid-Wafer 400 μm S / P / R-Qualität

Großes Bild :  1-Zoll-AlN-Einkristall-Aluminiumnitrid-Wafer 400 μm S / P / R-Qualität

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD02-001-001
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 25 Stück oder Einzelwa
Zahlungsbedingungen: T/T

1-Zoll-AlN-Einkristall-Aluminiumnitrid-Wafer 400 μm S / P / R-Qualität

Beschreibung
Produktname: Aluminium-Nitrid-Oblate Durchmesser: 25,4 ± 0,5 mm
Stärke: 400 ± 50 μm Crystal Form: 2H
Polytype: {0001}±0,5° TUA: ≥90%
Hervorheben:

1-Zoll-Aluminiumnitrid-Wafer

,

AlN-Einkristall 400 um

,

Aluminiumnitrid-Wafer der Klasse S

JDCD02-001-001 1 Zoll AlN-Einkristall 400 ± 50 μm S/P/R-Klasse

 

Das AlN-Substrat ist eines der beliebtesten Keramiksubstrate mit ausgezeichneter Hitzebeständigkeit, hoher mechanischer Festigkeit, Abriebfestigkeit und geringem dielektrischem Verlust.Die Oberfläche des AlN-Substrats ist ziemlich glatt und weist eine geringe Porosität auf.Aluminiumnitrid hat eine höhere Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu Aluminiumoxid-Substrat, es ist etwa 7 bis 8 mal so hoch.AlN-Substrat ist ein hervorragendes elektronisches Gehäusematerial.

 

1-Zoll-Aluminiumnitrid-Einkristallsubstrat
Kristallspezifikationen Parameterwert
Durchmesser (mm) 25,4 ± 0,5
Dicke (μm) 400±50
Kristallform 2H
Polytyp {0001}±0,5°
Polieren der Oberfläche Aluminiumoberfläche: chemisches Polieren (doppeltes Polieren kann angepasst werden)
Rauheit

Al Gesicht: ≤ 0,5 nm

N-Seite (Rückseite): ≤ 1,2 μm

Aussehen Umlaufende Gurtpositionierungskante
Qualitätsstufe S-Klasse (Super) P-Klasse (Produktion) R-Klasse (Forschung)
HRXRD Halbe Höhe Breite@{0002}(Bogensekunde) ≤150 ≤300 ≤500
HRXRD Halbe Höhe Breite@{10-12}(Bogensekunden) ≤100 ≤200 ≤400
Absorptionskoeffizient bei 265 nm (cm-1) ≤50 ≤70 ≤100
Kantenausschluss (mm) 1 1 1
Einzüge / / /
Chips / / ≤3 Kumulativ ≤1,0 mm
TUA ≥90%
Ausrichtung der Hauptpositionierungskante {10-10}±5,0°
Ausrichtung der sekundären Anlagefläche

Al-Fläche: Drehung im Uhrzeigersinn in Richtung der Hauptpositionierungskante 90 ° ± 5 °

N-Fläche: Drehung gegen den Uhrzeigersinn in Richtung der Hauptpositionierungskante 90 ° ± 5 °

TTV (μm) ≤30
Krümmung (μm) ≤30
Bogen (μm) ≤30
Risse Nein, bloßes Auge, starkes Licht
Kontamination Nein, bloßes Auge, Strahlung
Lasercodierung N-Fläche,parallel zur Hauptanlagekante
Paket Monolithische Waffelbox

 

 

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.

 

 

FAQ

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Wir sind Fabrik.
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In der Regel sind es 3-5 Tage, wenn die Ware auf Lager ist.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Ware nicht auf Lager ist, es ist nach Menge.
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Ja, wir könnten das Muster kostenlos anbieten, zahlen aber nicht die Frachtkosten.
F: Wie lauten Ihre Zahlungsbedingungen?
Zahlung <=5000USD, 100% im Voraus.
Paymen >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Restbetrag vor Versand.

 

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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