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2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm

2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm
2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm

Großes Bild :  2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDWY03-002-016
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm

Beschreibung
Produktname: Grün-GEFÜHRTES GaN auf Siliziumscheibe Größe: 2 Zoll 4 Zoll
Substrat-Struktur: (111) Substrate 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si Maß: 520±10nm
Paket: Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, im Behälter 25PCS, unter einer Stickstoffatmosphäre Marke: GaNova
Hervorheben:

2 Zoll GaN auf Siliziumwafer

,

Grüne LED GaN auf Siliziumwafer

,

520nm GaN auf Siliziumwafer

2-Zoll-Grün-LED-GaN auf Siliziumwafer

 


Überblick

Galliumnitrid (GaN) sorgt für einen innovativen Wandel in der Welt der Leistungselektronik.Seit Jahrzehnten sind MOSFETs auf Siliziumbasis (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) ein fester Bestandteil des modernen Alltags, der dabei hilft, Energie in Leistung umzuwandeln.

Generative Adversarial Networks (GANs) sind algorithmische Architekturen, die zwei neuronale Netze verwenden, die eines gegeneinander ausspielen (daher der „Gegner“), um neue, synthetische Instanzen von Daten zu generieren, die als echte Daten durchgehen können.Sie werden häufig bei der Bilderzeugung, Videoerzeugung und Spracherzeugung verwendet.
 

 

2-4-Zoll-Grün-LED-GaN auf Silizium
Artikel Si(111)-Substrate Al(Ga)N-Puffer uGaN nGaN MQW (1-3 Paare) AlGaN pGaN Kontaktschicht
InGaN-QW GaN-QB
Maße 2 Zoll, 4 Zoll
  520 ± 10 nm
Dicke 800nm 1000nm 3000nm ~3nm ~10nm 35nm 145nm 20nm
Komposition Al% / / / / / ~15 / /
In% / / / ~25 / / / /
Doping [Si] / / 8.0E+18 / 2.0E+17 / / /
[Mg] / / / / / 1.0E+20 3.0E+19 2.0E+20
Substratstruktur 20nm Kontaktschicht/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111) Substrate
Paket Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in einem 25-teiligen Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre

 

 

 

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.

 

 

FAQ

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Zahlung <=5000USD, 100% im Voraus.
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Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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