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4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir

4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir
4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire
4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir 4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir

Großes Bild :  4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDWY03-001-031
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir

Beschreibung
Art: Flacher Saphir Produktname: Blau des GaN-auf-Saphir-4inch/grüne LED-Oblate
Polnisch: Simplex poliert (SSP)/doppelte Seite poliert (DSP) Maß: 100 ± 0.2mm
Orientierung: C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zu M-Achse 0,2 ± 0.1° Stärke: 650 ± 25μm
Hervorheben:

Blauer LED-GaN-Epitaxie-Wafer

,

4-Zoll-LED-Wafer

,

GaN-Epitaxie-Wafer C-Ebene

4-Zoll-Blue-LED-GaN-Epitaxialwafer auf Saphir-SSP-C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,2 ± 0,1°

Blauer 4-Zoll-LED-GaN-Epitaxialwafer auf Saphir-SSP

 

Die Verwendung von blauer Strahlung in der LED-Technologie bietet zwei spezifische Vorteile – erstens verbraucht sie weniger Strom, zweitens ist sie effizienter in Bezug auf die Lichtleistung.Beispielsweise stieg die Effizienz blauer LEDs von 2014 bis 2018 mit Fortschritten bei Phosphor von 130-140 lm/W auf 200-210 lm/W.


Ein weiteres großes Problem bei der Herstellung blauer LEDs war die Schwierigkeit, GaN präzise p zu dotieren.In den späten 1980er Jahren entdeckten Amano und Akasaki, dass, wenn GaN mit Zinkatomen dotiert wurde, es mehr Licht emittiert und somit eine bessere p-Dotierung ergibt.Dieses Phänomen wurde später in einem Artikel von Nakamura erklärt.
 

 

4-Zoll-GaN-auf-Saphir-Blau/Grün-LED-Wafer

 

 

 

Substrat

Typ Flacher Saphir

 

 

4-Zoll-blauer LED-GaN-Epitaxialwafer C-Ebene, flacher Saphir 0

Polieren Einseitig poliert (SSP) / Doppelseitig poliert (DSP)
Abmessungen 100 ± 0,2 mm
Orientierung C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,2 ± 0,1°
Dicke 650 ± 25 μm

 

 

 

Epilayer

Struktur 0,2 μm pGaN/0,5 μm MQWs/2,5 μm nGaN/2,0 μm uGaN
Dicke 5,5 ± 0,5 μm
Rauheit (Ra) <0,5 nm
Versetzungsdichte < 5 × 108cm-2
Wellenlänge Blaue LED Grüne LED
465 ± 10 Nanometer 525 ± 10 Nanometer
Wellenlänge FWHMs < 25nm < 40 Nanometer
Chipleistung Einschaltspannung bei 1 μA 2,3-2,5 V 2,2-2,4 V
Nutzfläche > 90 % (Ausschluss von Rand- und Makrofehlern)

 

Paket

 

Verpackt in einem Reinraum in einem einzigen Waferbehälter

 

 

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.

 

 

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Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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