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Produktdetails:
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| Produktname: | GaN-Substrat | Maße: | 5 x 10mm ² |
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| Stärke: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ 10µm |
| Bogen: | - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm | Makrodefekt-Dichte: | ² 0cm⁻ |
| Hervorheben: | 5 x 10,5 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer,325-um-Gan-Gallium-Nitrid-Wafer |
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5 x 10 mm2M Face freistehende GaN-Substrate Dicke 350 ±25 µm
5*10mm2M-Fläche Undotiertes freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom n-Typ Widerstand < 0,05 Ω·cm Leistungsbauelement/Laserwafer
Überblick
Diese GaN-Wafer realisieren beispiellose ultrahelle Laserdioden und hocheffiziente Leistungsbauelemente für den Einsatz in Projektorlichtquellen, Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge und anderen Anwendungen.
Die Merkmale sind hochkristallin, gute Gleichmäßigkeit und hervorragende Oberflächenqualität.GaN-Substrate werden für LD-Anwendungen (violett, blau und grün) verwendet.
| M FAs Free-stUndichNG GAN SubstRaTeS | ||||
| Artikel |
GaN-FS-MUS
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GaN-FS-MNS
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GaN-FS-M-SI-S |
Bemerkungen: Zur Unterscheidung von Vorder- und Rückseite wird ein Kreisbogenwinkel (R < 2 mm) verwendet. |
| Maße | 5 x 10 mm2 | |||
| Dicke | 350 ±25 µm | |||
| Orientierung |
M-Ebene (1-100) Abweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° M-Ebene (1-100) Abweichungswinkel zur C-Achse - 1 ±0,2° |
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| Leitungstyp | N-Typ | N-Typ | Halbisolierend | |
| Widerstand (300 K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| BOGEN | - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm | |||
| Rauheit der Vorderseite |
< 0,2 nm (poliert)； oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie) |
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| Rauheit der Rückseite |
0,5 ~ 1,5 μm Option: 1~3 nm (fein geschliffen);< 0,2 nm (poliert) |
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| Versetzungsdichte | Ab 1 x 105bis 3 x 106cm-2 | |||
| Makrodefektdichte | 0cm-2 | |||
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) | |||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in einem 6-PCS-Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre | |||
Anhang: Das Diagramm des Fehlschnittwinkels
Wenn δ1= 0 ±0,5 Grad, dann beträgt der Abweichungswinkel der M-Ebene (1-100) zur A-Achse 0 ±0,5 Grad.
Wenn δ2= - 1 ± 0,2 Grad, dann beträgt der Abweichungswinkel der M-Ebene (1-100) zur C-Achse - 1 ± 0,2 Grad.
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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