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Produktdetails:
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| Produktname: | Sic Epitaxial- Oblate | Flache hauptsächlichlänge: | 47.5mm ± 1.5mm |
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| Durchmesser: | 150.0mm +0mm/-0.2mm | Crystal Form: | 4h |
| Polytype: | Keine ermöglichten | Oberflächenorientierung: | Aus-Achse: ° 4°toward <11-20>±0.5 |
| Hervorheben: | SiC-Epitaxie-Wafer P-MOS,D-Grade-Silizium-Epi-Wafer,SiC-Epitaxie-Wafer P-SBD |
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JDCD03-001-004 Sic-Epitaxie-Wafer P-MOS P-SBD D-Klasse Polytyp Nicht zulässig
JDCD03-001-004
Überblick
Ein SiC-Wafer ist ein Halbleitermaterial mit hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften.Es ist ein Hochleistungshalbleiter, der sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen eignet.Neben seiner hohen thermischen Beständigkeit zeichnet es sich auch durch eine sehr hohe Härte aus.
Im Vergleich zu anderen Halbleitern ist ein Siliziumkarbid-Wafer ideal für eine Vielzahl von Leistungs- und Spannungsanwendungen.Damit eignet es sich für eine Vielzahl elektrischer und optischer Geräte.
| Eigentum | P-MOS-Klasse | P-SBD-Klasse | D-Klasse |
| Kristallform | 4H | ||
| Polytyp | Keine Zulässig | Bereich≤5% | |
| (MPD)A | ≤0,2/cm2 | ≤0,5/cm2 | ≤5 /cm2 |
| Sechskantplatten | Keine Zulässig | Bereich≤5% | |
| Hexagonaler Polykristall | Keine Zulässig | ||
| EinschlüsseA | Fläche ≤ 0,05 % | Fläche ≤ 0,05 % | N / A |
| Widerstand | 0,015 Ω·cm – 0,025 Ω·cm | 0,015 Ω·cm – 0,025 Ω·cm | 0,014 Ω·cm – 0,028 Ω·cm |
| (EPD)A | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N / A |
| (TED)A | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N / A |
| (BPS)A | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)A | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Stapelfehler | ≤0,5 % Fläche | ≤1 % Fläche | N / A |
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Oberflächenmetallkontamination |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Durchmesser | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Oberflächenorientierung | Außerhalb der Achse: 4 ° in Richtung <11-20> ± 0,5 ° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Sekundäre flache Länge | Keine Zweitwohnung | ||
| Primäre flache Ausrichtung | Parallel zu <11-20> ±1° | ||
| Sekundäre flache Ausrichtung | N / A | ||
| Orthogonale Fehlorientierung | ±5,0° | ||
| Oberflächenfinish | C-Fläche: Optische Politur, Si-Fläche: CMP | ||
| Wafer-Rand | Abschrägen | ||
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Oberflächenrauheit (10μm×10μm) |
Si-Fläche Ra ≤ 0,20 nm; C-Fläche Ra ≤ 0,50 nm | ||
| DickeA | 350,0 μm ± 25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)A | ≤2 μm | ≤3 μm | |
| (TTV)A | ≤6 μm | ≤10 μm | |
| (BOGEN)A | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤40 μm |
| (Kette)A | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤60 μm |
| Chips/Einkerbungen | Keine Zulässig ≥0,5 mm Breite und Tiefe | Menge 2 ≤1,0 mm Breite und Tiefe | |
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KratzerA (Si-Gesicht, CS8520) |
≤ 5 und Gesamtlänge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser |
≤5 und Gesamtlänge ≤1,5 × Wafer Durchmesser |
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| TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Risse | Keine Zulässig | ||
| Kontamination | Keine Zulässig | ||
| Eigentum | P-MOS-Klasse | P-SBD-Klasse | D-Klasse |
| Kantenausschluss | 3mm | ||
Hinweis: 3 mm Randausschluss wird für die mit gekennzeichneten Artikel verwendetA.
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)
Telefon: +8613372109561
