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Produktdetails:
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| Crystal Form: | 4h | Oberflächenmetallkontamination: | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤ 1E11cm&supmin;² |
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| Produktname: | Sic Epitaxial- Oblate | Durchmesser: | 150.0mm +0mm/-0.2mm |
| Oberflächenorientierung: | Aus-Achse: ° 4°toward <11-20>±0.5 | Flache hauptsächlichlänge: | 47.5mm ± 1.5mm |
| Flache zweitenslänge: | Keine Sekundärebene | Flache hauptsächlichorientierung: | Paralleles to<11-20>±1° |
| Orthogonales Misorientation: | ±5.0° | ||
| Hervorheben: | SiC-N-Typ-Substrat,6-Zoll-SiC-Wafer,4H-N-Typ-Substrat |
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6-Zoll-4H-SiC-Substrat N-Typ P-SBD-Qualität 350,0 ± 25,0 μc MPD ≤ 0,5 / cm2Widerstand 0,015 Ω·cm—0,025 Ω·cm für Leistung und Mikrowelle
6 Zoll 4H-SiC-Substrat N-Typ
Überblick
SiC-Boules (Kristalle) werden gezüchtet, zu Ingots verarbeitet und dann in Substrate geschnitten, die anschließend poliert werden.Auf diesem Substrat wird dann eine dünne SiC-Epitaxieschicht aufgewachsen, um einen Epi-Wafer zu erzeugen.
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Eigentum |
P-MOS-Klasse | P-SBD-Klasse | D-Klasse |
| Kristallform | 4H | ||
| Polytyp | Keine Zulässig | Bereich≤5% | |
| (MPD)A | ≤0,2/cm2 | ≤0,5/cm2 | ≤5 /cm2 |
| Sechskantplatten | Keine Zulässig | Bereich≤5% | |
| Hexagonaler Polykristall | Keine Zulässig | ||
| EinschlüsseA | Fläche ≤ 0,05 % | Fläche ≤ 0,05 % | N / A |
| Widerstand | 0,015 Ω·cm – 0,025 Ω·cm | 0,015 Ω·cm – 0,025 Ω·cm | 0,014 Ω·cm – 0,028 Ω·cm |
| (EPD)A | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N / A |
| (TED)A | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N / A |
| (BPS)A | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)A | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Stapelfehler | ≤0,5 % Fläche | ≤1 % Fläche | N / A |
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Oberflächenmetallkontamination |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Durchmesser | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Oberflächenorientierung | Außerhalb der Achse: 4 ° in Richtung <11-20> ± 0,5 ° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Sekundäre flache Länge | Keine Zweitwohnung | ||
| Primäre flache Ausrichtung | Parallel zu <11-20> ±1° | ||
| Sekundäre flache Ausrichtung | N / A | ||
| Orthogonale Fehlorientierung | ±5,0° | ||
| Oberflächenfinish | C-Fläche: Optische Politur, Si-Fläche: CMP | ||
| Wafer-Rand | Abschrägen | ||
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Oberflächenrauheit (10μm×10μm) |
Si-Fläche Ra ≤ 0,20 nm; C-Fläche Ra ≤ 0,50 nm | ||
| DickeA | 350,0 μm ± 25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)A | ≤2 μm | ≤3 μm | |
| (TTV)A | ≤6 μm | ≤10 μm | |
| (BOGEN)A | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤40 μm |
| (Kette)A | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤60 μm |
| Chips/Einkerbungen | Keine Zulässig ≥0,5 mm Breite und Tiefe | Menge 2 ≤1,0 mm Breite und Tiefe | |
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KratzerA (Si-Gesicht, CS8520) |
≤ 5 und Gesamtlänge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser |
≤5 und Gesamtlänge ≤1,5 × Wafer Durchmesser |
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| TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Risse | Keine Zulässig | ||
| Kontamination | Keine Zulässig | ||
| Eigentum | P-MOS-Klasse | P-SBD-Klasse | D-Klasse |
| Kantenausschluss | 3mm | ||
Hinweis: 3 mm Randausschluss wird für die mit gekennzeichneten Artikel verwendetA.
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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