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4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht

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4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht

4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht
4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht

Großes Bild :  4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht

Produktdetails:
Modellnummer: JDZJ01-001-001
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Verpackt in einem Reinraum in einem Einzelsamenbehälter
Lieferzeit: 3-4 Wochentage

4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht

Beschreibung
Politype: 4h Durchmesser: 100,0 mm ± 0,5 mm
Orientierung: 4,0°±0,2° Flache hauptsächlichorientierung: {10-10} ±5.0°
Primäre flache Länge: 32,5 mm ± 2,0 mm Flache zweitensorientierung: Si-Gesicht: 90°cw.from Primär-flat±5°
Hervorheben:

einzelnes Kristallsilikonkarbid 4"

,

N-Art kristallenes Silikonkarbid

,

einzelnes Kristallsilikonkarbid Sigesicht

JDZJ01-001-001 sic Impfkristall 4" p-Grad-Si-Gesicht 90°Cw.From Primär-Flat±5°

Sic Impfkristall 4" PGrade

Die körperlichen und elektronischen Eigenschaften von sic es das vorderste Halbleitermaterial für kurzwelliges optoelektronisches, hohe Temperatur, strahlungsresistent machen und starke/Hochfrequenzelektronische geräte.

sic Spezifikationen des Barrens 6inch
Grad Produktions-Grad Blinder Grad
Politype 4H
Durchmesser 100.0mm±0.5mm
Fördermaschinen-Art N-artig
Widerstandskraft 0.015~0.028ohm.cm
Orientierung 4.0°±0.2°
Flache hauptsächlichorientierung {10-10} ±5.0°
Flache hauptsächlichlänge 32.5mm±2.0mm
Flache zweitensorientierung Si-Gesicht: 90°cw.from Primär-flat±5°
Flache zweitenslänge 18.0mm±2.0mm
Randsprünge durch Licht der hohen Intensität ≤1mm im Radialstrahl ≤3mm im Radialstrahl
Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität Size<1mm, kumulatives area<1% Kumulatives area<5%
Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität Kein ≤5%area
MicroPipe-Dichte Es ist Zerstörungsprüfung. Wenn irgendein Widerspruch, die Proben für Lieferantenerneuten test vom Kunden zur Verfügung gestellt wird.

Es ist Zerstörungsprüfung. Wenn irgendein Widerspruch, die Proben für Lieferantenerneuten test vom Kunden zur Verfügung gestellt wird.

Randchip ≤1 mit maximaler Länge und Breite 1 Millimeter ≤3 mit maximaler Länge und Breite 3 Millimeter

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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