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n type sic crystal online manufacture

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kaufen 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N Online fabricant

0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N
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2022-09-27 17:01:16
kaufen Sic n-Art Substrat Online fabricant

Sic n-Art Substrat
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2022-10-09 16:57:15
kaufen sic Epitaxial- Oblate 6inch Online fabricant

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2022-10-09 16:56:20
kaufen 6 Zoll 4H SiC N-Substrat 47,5 mm Keine sekundäre Ebene Online fabricant

6 Zoll 4H SiC N-Substrat 47,5 mm Keine sekundäre Ebene
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2022-10-24 10:26:17
kaufen 6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm Online fabricant

6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
kaufen 6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um Online fabricant

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2022-10-24 10:21:10
kaufen N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm Online fabricant

N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34
kaufen 4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,5/Cm2 Widerstand 0,015 Ω·Cm – 0,025 Ω·Cm Online fabricant

4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,5/Cm2 Widerstand 0,015 Ω·Cm – 0,025 Ω·Cm
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2025-04-04 22:43:25
kaufen 350 um 4H SiC-Substrat Online fabricant

350 um 4H SiC-Substrat
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2022-10-09 16:57:57
kaufen 4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht Online fabricant

4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht
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2022-09-27 17:01:35
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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