|
Produktdetails:
|
| Produktname: | Einzelnes Kristallsubstrat GaN | Maße: | 5 x 10mm ² |
|---|---|---|---|
| Stärke: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ 10µm |
| Bogen: | - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm | Makrodefekt-Dichte: | ² 0cm⁻ |
| Hervorheben: | Einzelnes Kristallsubstrat GaN,Art Oblate des Gallium-Nitrid-N,Einzelner Crystal Substrate 5x10.5mm2 |
||
M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0="">
Überblick
Verschiedene körperliche Aspekte und mögliche Anwendungen der laserinduzierten Trennung von GaN-Epilayers von ihrem Saphirsubstrat werden wiederholt. Der Effekt von kurzen Laser-Impulsen auf die thermische Aufspaltung von GaN und die möglichen Anwendungen der laserinduzierten Auflösung von GaN für schnelle Radierung dieses Materials wird besprochen. Besondere Betonung wird auf die fehlerfreie Abblätterung von GaN-Filmen des großen Gebiets mit den Stärken gelegt, die von 3 bis μm 300 von den Saphirsubstraten reichen.
| M stellen freistehende GaN-Substrate gegenüber | ||||
| Einzelteil |
GaN-Rumpfstation-M-u-s
|
GaN-Rumpfstation-M-n-s
|
GaN-RUMPFSTATION-m-SI-s |
Anmerkungen: Ein Kreisbogenwinkel (R < 2="" mm=""> |
| Maße | 5 x 10 Millimeter2 | |||
| Stärke | µm 350 ±25 | |||
| Orientierung |
M-Fläche (1 - 100) weg vom Winkel in Richtung zur Ein-Achse 0 ±0.5° M-Fläche (1 - 100) weg vom Winkel in Richtung zur C-Achse - 1 ±0.2° |
|||
| Leitungs-Art | N-artig | N-artig | Halb-Isolieren | |
| Widerstandskraft (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| BOGEN | - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm | |||
| Front Surface Roughness |
< 0=""> oder < 0=""> |
|||
| Hintere Oberflächenrauigkeit |
0,5 μm ~1,5 Wahl: 1~3 Nanometer (feiner Boden); < 0=""> |
|||
| Versetzungsdichte | Von 1 x 105 bis 3 x 106 cm2 | |||
| Makrodefekt-Dichte | 0 cm2 | |||
| Verwendbarer Bereich | > 90% (Randausschluß) | |||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, 6 PCS im Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre | |||
Anhang: Das Diagramm von miscut Winkel
Wenn δ1 = 0 ist Grad ±0.5, dann m-Fläche (1 - 100) weg vom Winkel in Richtung zur Ein-Achse 0 Grad ±0.5.
Wenn δ2 = - 1 Grad ±0.2, dann m-Fläche (1 - 100) weg vom Winkel in Richtung zur C-Achse ist - 1 Grad ±0.2.
Über uns
Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.
FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <>
Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.
Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)
Telefon: +8613372109561
