|
Produktdetails:
|
| Produktname: | 2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate | GA-Gesichtsoberflächenrauigkeit: | < 0=""> |
|---|---|---|---|
| Orientierungs-Ebene: | (1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm | Maße: | 50,8 ± 1mm |
| Stärke: | 350 ± 25μm | Sekundärorientierungsebene: | (11-20) ± 3˚, 8 ± 1mm |
| Hervorheben: | Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer,50.8mm gan Substrate,Halbleiterwafer 2 Zoll |
||
± 50,8 1 Millimeter 2 Zoll freistehendes U-GaN/SI-GaN Substrate (1-100) ± 0,5O, ± 16 1 Millimeter
C-Gesicht 2inch UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0="">
Überblick
GaN Breakdown Field
Ein höheres Zusammenbruchfeld bedeutet, dass Galliumnitrid über Silikon in den Hochspannungsstromkreisen wie starken Produkten überlegen ist. Hersteller und Ingenieure können GaN in den ähnlichen Spannungsanwendungen beim Beibehalten eines erheblich kleineren Abdruckes auch verwenden.
| 2 Zoll freistehende U-GaN/SI-GaN Substrate | |||||||
|
Ausgezeichnetes Niveau (S) |
Produktionsebene (A) |
Forschung Niveau (b) |
Attrappe Niveau (c) |
Anmerkung: (1) verwendbarer Bereich: Rand und Makrodefektausschluß (2) 3 Punkte: das miscut angelt von den Positionen (2, 4, 5) sind 0,35 ± 0,15O |
|||
| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Maße | ± 50,8 1 Millimeter | ||||||
| Stärke | 350 ± 25 μm | ||||||
| Orientierungsebene | (1-100) ± 0,5O, ± 16 1 Millimeter | ||||||
| Sekundärorientierungsebene | (11-20) ± 3O, ± 8 1 Millimeter | ||||||
| Widerstandskraft (300K) |
< 0=""> oder > 1 x 106 Ω·cm für das Halb-Isolieren (F.E.-lackiert; GaN-FS-C-SI-C50) |
||||||
| TTV | ≤ 15 μm | ||||||
| BOGEN | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
| GA-Gesichtsoberflächenrauigkeit |
< 0=""> oder < 0=""> |
||||||
| N-Gesichtsoberflächenrauigkeit |
0,5 μm ~1,5 Wahl: 1~3 Nanometer (feiner Boden); < 0=""> |
||||||
| Paket | Verpackt in einem Cleanroom im einzelnen Oblatenbehälter | ||||||
| Verwendbarer Bereich | > 90% | >80% | >70% | ||||
| Versetzungsdichte | <9>5 cm2 | <3x10>6 cm2 | <9>5 cm2 | <3x10>6 cm2 | <3x10>6 cm2 | ||
| Orientierung: C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse |
0,35 ± 0,15O (3 Punkte) |
0,35 ± 0,15O (3 Punkte) |
0,35 ± 0,15O (3 Punkte) |
||||
| Makrodefektdichte (Loch) | 0 cm2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | ||||
| Maximale Größe von Makrodefekten | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | ||||
Über uns
Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.
FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <>
Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.
Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)
Telefon: +8613372109561
