2 ′′ 6-Zoll-N-Typ GaN auf Saphir-Epitaxial-Wafer für LED-Laser-PIN-Gerät

Beschreibung:

Epiaxialwafer beziehen sich auf Produkte, die durch das Wachstum einer neuen Kristallschicht auf einem einzelnen Kristallsubstrat gebildet werden.Epiaxialwafer bestimmen etwa 70% der Leistung von Geräten und sind wichtige Rohstoffe für HalbleiterchipsEpiaxial-Wafer-Hersteller verwenden CVD-Ausrüstung (Chemical Vapor Deposition), MBE-Ausrüstung (Molecular Beam Epitaxy), HVPE-Ausrüstung usw.zum Anbau von Kristallen und zur Herstellung von epitaxialen Wafern auf SubstratmaterialienDie Epitaxialwafer wird dann durch Verfahren wie Photolithographie, Dünnschichtdeposition und Ätzung in Wafer hergestellt.mit einer Breite von mehr als 20 mm,, Installation von Schutzhülsen, Drahtverbindung zwischen Chip-Schaltkreispinnen und externen Substraten sowie Schaltkreisprüfung, Leistungsprüfung,und andere Testschritte, um den Chip zu produzierenDer vorstehende Chip-Produktionsprozess muss die Interaktion mit dem Chip-Design-Prozess aufrechterhalten, um sicherzustellen, dass der endgültige Chip die Anforderungen des Chip-Designs erfüllt.
Aufgrund der Leistung von Galliumnitrid eignen sich Galliumnitrid-Epitaxialwafer hauptsächlich für Anwendungen bei hoher Leistung, hoher Frequenz, mittlerer und niedriger Spannung, die sich insbesondere in:1) Große Bandbreite: Die hohe Bandbreite verbessert den Spannungswiderstand von Galliumnitridgeräten, die eine höhere Leistung liefern können als Galliumarsenidgeräte,besonders geeignet für Basisstationen der 5G-Kommunikation, Militärradar und andere Bereiche; 2) Hohe Umwandlungseffizienz:Der Leitwiderstand von Galliumnitrid-Schaltanlagen ist drei Größenordnungen niedriger als bei Silizium-Anlagen3) Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Galliumnitrid verleiht ihm eine ausgezeichnete Wärmeableitungsleistung,mit einer Breite von mehr als 20 mm,, hohe Temperatur und andere Felder; 4) Auflösungsstärke des elektrischen Feldes: Obwohl die Auflösungsstärke des elektrischen Feldes von Galliumnitrid der von Siliziumnitrid ähnlich ist, ist die Auflösungsstärke des elektrischen Feldes von Galliumnitrid in der Regel in der gleichen Größe wie die des Siliziumnitrids.Die Spannungstoleranz von Galliumnitrid-Geräten beträgt in der Regel etwa 1000 V aufgrund von Faktoren wie Halbleitertechnologie und Materialgitterunvereinbarkeit., und die sichere Betriebsspannung liegt in der Regel unter 650 V

Spezifikationen: