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Produktdetails:
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| Hervorheben: | Einkristall-Gan-Epi-Wafer,4 Zentimeter großer Epi-Wafer,Einzelkristall-Gan-Substrat |
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Einführung in ein 4-Zoll-Eisendoppiertes Einkristall-GaN-Substrat aus Galliumnitrid
Ein 4-Zoll-Eisen-doppiertes Galliumnitrid-Einkelkristall-GaN-Substrat ist ein aus Galliumnitrid (GaN) hergestelltes Einzelkristall-Substrat, das seine elektrischen Eigenschaften durch Doping von Eisenelementen verbessert.Galliumnitrid (GaN) ist ein breites Halbleitermaterial mit einer direkten Bandbreite von 3.4 eV, wodurch es in optoelektronischen und Leistungselektronikgeräten weit verbreitet ist.
Vorbereitungsprozess
Das Verfahren zur Herstellung eines 4-Zoll-Eisen-dopten Galliumnitrid-Einkristallsubstrats umfasst:
MOCVD-Technologie: zur Züchtung hochwertiger Galliumnitrid-Einkristallschichten verwendet 4.
Laser-Peeling-Technologie: zur Entfernung von Defekten in Einzelkristallschichten und zur Verbesserung der Substratleistung.
HVPE-Technologie: zur Produktion von Galliumnitrid-Substraten im großen Maßstab zur Verbesserung der Produktionseffizienz.
Zusammenfassend kann gesagt werden, dass das 4-Zoll-Eisen-doppierte Galliumnitrid-Einkristallsubstrat ein leistungsstarkes Halbleitermaterial mit breiten Anwendungsmöglichkeiten ist.vor allem in den Bereichen Optoelektronik und Leistungselektronik.
| 2-Zoll-frei stehende N-GaN-Substrate | ||||||
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Produktionsniveau (P) |
REsEhrgeizh(R) |
Du Dummkopf.(D) |
Anmerkung: (1) 5 Punkte: Die Schnittfehlwinkel von 5 Positionen sind 0,55 ± 0,15o (2) 3 Punkte: Die Fehlerwinkel der Positionen (2, 4, 5) sind 0,55 ± 0,15o (3) Nutzfläche: Ausschluss von Peripherie- und Makrofehlern (Löcher) |
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| P+ | P | - Ich weiß nicht. | ||||
| Artikel | Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten. | |||||
| Abmessungen | 50.0 ± 0,3 mm | |||||
| Stärke | 400 ± 30 μm | |||||
| Orientierungsfläche | (1-100) ±0.1o,12.5 ± 1 mm | |||||
| TTV | ≤ 15 μm | |||||
| Bogen | ≤ 20 μm | |||||
| Widerstandsfähigkeit (300K) | ≤ 0,02 Ω·cm für N-Typ (Si-Doped) | |||||
| Ga Oberflächenrauheit | ≤ 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung zur Epitaxie) | |||||
| N Oberflächenrauheit | 0.5 ~ 1,5 μm (einseitig poliert) | |||||
| C-Ebene (0001) abwinkelnd zur M-Achse (fehlerhafte Winkel) |
0.55 ± 0.1o (5 Punkte) |
0.55 ± 0.15o (5 Punkte) |
0.55 ± 0.15o (3 Punkte) |
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| Densität der Drehverdrängung | ≤ 7,5 x 105 cm2 | ≤ 3 x 106 cm2 | ||||
| Anzahl und maximale Größe der Löcher in Ф47 mm in der Mitte | 0 | ≤ 3@1000 μm | ≤ 12@1500 μm | ≤ 20@3000 μm | ||
| Nutzfläche | > 90% | > 80% | > 70% | |||
| Paket | Verpackt in einem Reinraum in einem Waferbehälter | |||||
Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)
Telefon: +8613372109561
