German

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Referenzen |

Startseite

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. sitemap

Alle Produkte

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial- Oblate
(39)

GaAs-Epi-Wafer
(15)

CVD-Diamantsubstrate
(15)

Schnelles thermisches Vergütungssystem
(2)

Tester für Hall-Effekt-Sensoren
(3)

Aluminium-Nitrid-Oblate
(21)

Laserdiode-Chip
(10)

Silikon-Karbid-Kristall
(12)

Ga2O3-Wafer
(13)

Siliziumscheibe
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Kopierte Sapphire Substrates
(10)

oblaten-Halter
(1)

Wafer-Dicing-Maschine
(5)

Bescheinigung

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen

Ich bin online Chat Jetzt

Firma

Über uns:

Firmenprofil
Firmengeschichte
Unternehmensdienstleister
Fabrik-Ausflug
Qualitätskontrolle
Kontakt

Produkte

GaN Epitaxial Wafer

Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht
TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W
10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer
2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm

Sic Epitaxial- Oblate

4 Zoll uGaN auf Silizium undoped Galliumnitrid auf Silizium Epitaxial Wafer
4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer
4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer

Page 10 of 17|< << 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 >> >|

Kontaktdaten

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. sitemap

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial- Oblate

GaAs-Epi-Wafer

CVD-Diamantsubstrate

Schnelles thermisches Vergütungssystem

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

Aluminium-Nitrid-Oblate

Laserdiode-Chip

Silikon-Karbid-Kristall

Ga2O3-Wafer

Siliziumscheibe

Sapphire Wafer

Kopierte Sapphire Substrates

oblaten-Halter

Wafer-Dicing-Maschine

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial- Oblate

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP