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Produktdetails:
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| Hervorheben: | 4 Zentimeter hohe Epitaxialwafer,4 Zoll SIC Epi Wafer,4 Zoll SIC Epi-Wafer |
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Einführung inGaN auf Siliziumgrüner Epi-LED-Wafer
GaN auf Silicon Green LED Epi-Wafer sind Halbleiterstrukturen, die auf Silizium-Substratmaterialien durch epitaxiale Wachstumstechnologie zur Herstellung von grünen Leuchtdioden (LEDs) gebildet wurden.Es ist ein wichtiges Zwischenmaterial bei der Herstellung von LED-Chips, und seine Struktur und Leistung beeinflussen unmittelbar die Lichtwirksamkeit, Wellenlänge und andere Eigenschaften der endgültigen LED-Anlage.
Anwendungsbereich
Anzeigetechnik:Im Bereich der Vollfarbbildschirme werden grüne LED-Epitaxialwafer auf Siliziumbasis zur Herstellung von grünen Pixeln verwendet.die zusammen mit roten und blauen LED-Pixeln die grundlegende Einheit für die Farbdarstellung bilden. Seine hervorragende Wellenlängen-Einheitlichkeit und hohe Lichteffizienz können hochauflösende und farbsättigte Displays ermöglichen.bei der Herstellung von LED-Displays mit kleinem Abstand und Mikro-LED-Displays, auf Silizium basierende grüne LED-Epitaxialwafer spielen eine wichtige Rolle und können für Innen- und Außen-Hoch-Definitions-Displays, Virtuelle Realität (VR) / Erweiterte Realität (AR) -Geräte-Displays verwendet werden,und andere Szenarien.
Lichtfeld:Als wichtiger Bestandteil grüner Lichtquellen können auf Silizium basierende grüne LED-Epitaxialwafer zur Herstellung von Leuchten mit hoher Farbwiedergabe verwendet werden.durch Kombination mit anderen farbigen LEDs, Farbtemperatur und Farbeinstellungsfunktionen können erreicht werden, um die Lichtbedürfnisse verschiedener Szenarien, wie z. B. Heimbeleuchtung, gewerbliche Beleuchtung, Autobeleuchtung usw. zu erfüllen.
Optische Kommunikation:In der optischen Kommunikationstechnologie der sichtbaren Lichtkommunikation (VLC) kann eine grüne LED als Signalemissionsquelle verwendet werden.Die hohe Modulationsleistung und der hohe Lichteffizienz von grünen LED-Epitaxialwafern auf Siliziumbasis fördern eine schnelle und effiziente Kommunikation mit sichtbarem Licht., und kann bei der Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung in Innenräumen, der Fahrzeug-zu-Fahrzeug-Kommunikation in intelligenten Verkehrssystemen und anderen Szenarien angewendet werden.
Produktspezifikationen
| 2 bis 4 Zoll Grün-LED GaN auf Silizium | |||||||||
| Position Si ((111) Substrate | Al(Ga)N-Puffer | uGaN | nGaN | MQW ((1-3 Paare) | AlGaN | pGaN | Kontaktschicht | ||
| InGaN-QW | GaN-QB | ||||||||
| Abmessungen | 2 Zoll, 4 Zoll | ||||||||
| 520 ± 10 nm | |||||||||
| Stärke | 800 nm | 1000 nm | 3000 nm | ~ 3 nm | ~ 10 nm | 35 nm | 145 nm | 20 nm | |
| Zusammensetzung | Al% | / | / | / | / | / | ~ 15 | / | / |
| In % | / | / | / | ~ 25 | / | / | / | / | |
| Doping | [Si] | / | / | 8.0E+18 | / | 2.0E+17 | / | / | / |
| [Mg] | / | / | / | / | / | 1.0E+20 | 3.0E+19 | 2.0E+20 | |
| Struktur des Substrats | 20nmKontaktschicht/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111) Substrate | ||||||||
| Paket | Verpackt in einem Reinraum der Klasse 100, in einem Behälter mit 25 PCS, in einer Stickstoffatmosphäre | ||||||||
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien in Wafer, Substrate und kundenspezifische optische Glasteile. Komponenten, die in Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir arbeiten auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten zusammen., Forschungseinrichtungen und Unternehmen, bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre FuE-Projekte.Es ist unsere Vision, eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden durch unseren guten Ruf zu erhalten.
Qualitätssicherung
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Wir sind eine Fabrik.
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