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Aluminium-Nitrid-Oblate

CHINA Aluminium-Nitrid-Oblate

2-Zoll-Aluminiumnitrid-Wafer, einseitig oder doppelseitig poliert

Maße:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF(1-100), Al-Fläche, Positionierungskante 16,0 ± 1,0 mm

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)

Orientierung:C-Ebene (0001)±1˚
1inch Aluminium-Nitrid AlN einzelner Crystal Sapphire Wafer 400um

Produktname:AlN-Einkristall

Rauheit:Al-Seite: ≤ 0,5 nm N-Seite (Rückseite): ≤ 1,2 μm

Auftritt:Kreisförmige Gurtpositionierungskante
JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN Grad einzelnen Kristall-400±50μM S/P/R

Produktname:AlN-Einkristall

Durchmesser (Millimeter):10x10

Stärke (μm):400±50
2-Zoll dicker Film JDWY01-001-006 (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM von (002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

Maße:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF(1-100), Al-Fläche, Positionierungskante 16,0 ± 1,0 mm

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)

Stärke:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm
2-Zoll dicker Film JDWY01-001-004 (2,3) um AIN auf Saphirwafer, DSP, XRD FWHM von (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

Maße:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF(1-100), Al-Fläche, Positionierungskante 16,0 ± 1,0 mm

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)

Orientierung:C-Ebene (0001)±1o
$JDWY01-001-007 2 Zoll Dickschicht (4,5) Um AIN auf Saphirwafer, SSP, XRD FWHM von (002) ≤ 160 Bogensekunden \ (102) ≤ 400 Bogensekunden$

JDWY01-001-007 2 Zoll Dickschicht (4,5) Um AIN auf Saphirwafer, SSP, XRD FWHM von (002) ≤ 160 Bogensekunden \ (102) ≤ 400 Bogensekunden

Maße:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF(1-100), Al-Fläche, Positionierungskante 16,0 ± 1,0 mm

Substrat:Saphir (einfache oder doppelte Seiten poliert)

Stärke:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm
1 Zoll AlN Einkristallwafer 400±50μM S/P/R-Grad

Kristallform:2H

Stärke:400±50

Grobheit:Algesicht: Gesicht ≤0.5nm N (hinter): ≤1.2μm
ALN 10*10mm2 AlN Einkristall 400±50μM S/P/R-Grad

Durchmesser:10 mm x 10 mm

Stärke (μm):400±50

Kristallform:2H
JDWY01-001-002 2-Zoll-Dickfilm (1,2) Um AIN auf Saphirwafer, DSP, XRD-FWHM von (002) ≤ 80 Bogensekunden (102) ≤ 650 Bogensekunden

Stärke:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

Orientierung:C-Ebene (0001)±1o

Leitungs-Art:Halb-Isolieren

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CHINA Aluminium-Nitrid-Oblate

2-Zoll-Aluminiumnitrid-Wafer, einseitig oder doppelseitig poliert

1inch Aluminium-Nitrid AlN einzelner Crystal Sapphire Wafer 400um

JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN Grad einzelnen Kristall-400±50μM S/P/R

2-Zoll dicker Film JDWY01-001-006 (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM von (002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

2-Zoll dicker Film JDWY01-001-004 (2,3) um AIN auf Saphirwafer, DSP, XRD FWHM von (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

JDWY01-001-007 2 Zoll Dickschicht (4,5) Um AIN auf Saphirwafer, SSP, XRD FWHM von (002) ≤ 160 Bogensekunden \ (102) ≤ 400 Bogensekunden

1 Zoll AlN Einkristallwafer 400±50μM S/P/R-Grad

ALN 10*10mm2 AlN Einkristall 400±50μM S/P/R-Grad

JDWY01-001-002 2-Zoll-Dickfilm (1,2) Um AIN auf Saphirwafer, DSP, XRD-FWHM von (002) ≤ 80 Bogensekunden (102) ≤ 650 Bogensekunden

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

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Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP