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Produktdetails:
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| Produktname: | GaAs-Si-Wafer | Verhaltenstyp: | S-C-N |
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| Dotierstoff: | GaAs-Si | Orientierungswinkel: | 0° |
| OF Orientierung: | EJ[0-1-1]±0,5° | OF Länge (mm): | 17±1 |
| Hervorheben: | S-C-N-Halbleitersubstrat,GaAs-Si-Wafer ISO,Halbleitersubstrat 17 mm |
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SCN Conduct 2 Zoll GaAs (100) Undotierte Substrate Hohe Elektronenmobilität
Überblick
Mit der Entwicklung von Mini-LED und Mikro-LED werden mit GaAs-Substraten hergestellte Rotlicht-LEDs zunehmend für Bildschirme und in AR/VR eingesetzt.
GaAs ist ein Halbleitermaterial mit hervorragenden Leistungseigenschaften, einschließlich direkter Bandlücke, hoher Elektronenmobilität, geringem Hochfrequenzrauschen und hoher Umwandlungseffizienz.
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GaAs-Si-Wafer |
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Wachstumsmethode |
VGF |
| Verhaltenstyp | SCN |
| Dotierstoff | GaAs-Si |
| Orientierung | (100) 15° ± 0,5° Aus Richtung <111>A |
| Orientierungswinkel | 0° |
| OF Orientierung | EJ[0-1-1]±0,5° |
| OF Länge (mm) | 17±1 |
| IF-Ausrichtung | EJ[0-11]±0,5° |
| IF-Länge (mm) | 7±1 |
| Durchmesser (mm) | 50,8 ± 0,2 |
| CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
| Widerstand (ohm.cm) | N / A |
| Mobilität (cm2/vs) | ≥1000 |
| EPD(/cm2) | ≤5000 |
| Dicke (um) | 350±20 |
| TTV (ähm) | <10 |
| TTR (ähm) | <10 |
| Schleife (ähm) | <15 |
| Warp (ähm) | <15 |
| Oberfläche | Seite 1: Poliert Seite 2: Geätzt |
| Verpackung | Kassette oder Single |
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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