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Produktdetails:
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| Wachstums-Methode: | VGF | Verhaltenstyp: | S-C-N |
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| Produktname: | GaAs-Si-Wafer | OF Orientierung: | EJ[0-1-1]±0,5° |
| OF Länge (mm): | 17±1 | IF-Ausrichtung: | EJ[0-11]±0,5° |
| Hervorheben: | 2-Zoll-Gaas-Wafer,Galliumarsenid-Substrat 7 mm,51 mm Gaas-Wafer |
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50,8 ± 0,2 mm 2 Zoll GaAs (100) Undotierte Substrate 7 ± 1 mm IF-Länge
Überblick
Mit der Entwicklung von Mini-LED und Mikro-LED werden mit GaAs-Substraten hergestellte Rotlicht-LEDs zunehmend für Bildschirme und in AR/VR eingesetzt.
Der Umwandlungswirkungsgrad eines hocheffizienten Solarzellenpanels auf Basis von GaAs beträgt bis zu 40 %.Gegenwärtig werden solche Solarzellenpaneele in Anwendungen für unbemannte Luftfahrzeuge und Solarautos weit verbreitet verwendet.
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GaAs-Si-Wafer |
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Wachstumsmethode |
VGF |
| Verhaltenstyp | SCN |
| Dotierstoff | GaAs-Si |
| Orientierung | (100) 15° ± 0,5° Aus Richtung <111>A |
| Orientierungswinkel | 0° |
| OF Orientierung | EJ[0-1-1]±0,5° |
| OF Länge (mm) | 17±1 |
| IF-Ausrichtung | EJ[0-11]±0,5° |
| IF-Länge (mm) | 7±1 |
| Durchmesser (mm) | 50,8 ± 0,2 |
| CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
| Widerstand (ohm.cm) | N / A |
| Mobilität (cm2/vs) | ≥1000 |
| EPD(/cm2) | ≤5000 |
| Dicke (um) | 350±20 |
| TTV (ähm) | <10 |
| TTR (ähm) | <10 |
| Schleife (ähm) | <15 |
| Warp (ähm) | <15 |
| Oberfläche | Seite 1: Poliert Seite 2: Geätzt |
| Verpackung | Kassette oder Single |
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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