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17mm 2inch GaAs Epi Oblaten-Undoped Substrate 50.8mm

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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17mm 2inch GaAs Epi Oblaten-Undoped Substrate 50.8mm

17mm 2inch GaAs Epi Oblaten-Undoped Substrate 50.8mm
17mm 2inch GaAs Epi Oblaten-Undoped Substrate 50.8mm

Großes Bild :  17mm 2inch GaAs Epi Oblaten-Undoped Substrate 50.8mm

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD10-001-002
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 25 Stück oder Einzelwa
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

17mm 2inch GaAs Epi Oblaten-Undoped Substrate 50.8mm

Beschreibung
Produktname: GaAs-Si-Wafer Wachstums-Methode: VGF
Verhaltenstyp: S-C-N Dotierstoff: GaAs-Si
Orientierungswinkel: OF Orientierung: EJ[0-1-1]±0,5°
Hervorheben:

17mm GaAs Epi Oblate

,

Epitaxial- Oblate 50.8mm

,

Oblate 50.8mm GaAs Epi

17±1mm VON (100) Undoped Substraten der Längen-2inch GaAs 50.8±0.2mm

Überblick

Die Umwandlungs-Leistungsfähigkeit einer Hochleistungsfähigkeits-Solar-zellplatte, die auf GaAs basiert, ist bis 40%. Zur Zeit sind- solche Solar-zellplatten in unbemanntem Luftfahrzeug und in den Solarselbstanwendungen weitverbreitet.

GaAs-Anwendungen umfassen eine große Vielfalt von Transistoren für die Industrie, die Kommunikation aus optischen Fasern überspannt, drahtlose Netzwerke (WLAN), Mobiltelefone, blaue Zahnkommunikationen, Verbindungen über Satellit, monolithische Mikrowellenintegrierte schaltungen (MMIC) für 5G sowie Hochfrequenzintegrierte schaltungen (RFIC).

GaAs-Si-Oblate

Wachstums-Methode

VGF
Führungs-Art S-C-N
Dopant GaAs-Si
Orientierung (100) 15°±0.5° weg von TowardA<111>
Orientierungs-Winkel
Von der Orientierung EJ [0-1-1] ±0.5°
Von der Länge (Millimeter) 17±1
WENN Orientierung EJ [0-11] ±0.5°
WENN Länge (Millimeter) 7±1
Durchmesser (Millimeter) 50.8±0.2
Cm (/c.c.) 0.4E18~1E18
Widerstandskraft (ohm.cm) N/A
Mobilität (cm2/v.s) ≥1000
EPD (/cm2) ≤5000
Stärke (um) 350±20
TTV (um) <10>
TTR (um) <10>
Beugen Sie (um) <15>
Verwerfen Sie sich (um) <15>
Oberfläche Side1: Poliertes Side2: Geätzt
Verpacken Kassette oder einzelnes

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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