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Produktdetails:
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| Wachstums-Methode: | VGF | Verhaltenstyp: | S-C-N |
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| Produktname: | GaAs (100) Undotierte Substrate | Dotierstoff: | GaAs-Si |
| Orientierungswinkel: | 0° | OF Orientierung: | EJ[0-1-1]±0,5° |
| Hervorheben: | GaAs-Epi-Wafer undotierte Substrate,GaAs-Si-Wafer 2 Zoll,2-Zoll-GaAs-Epi-Wafer |
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GaAs-Si-Wafer 2 Zoll GaAs (100) Undotierte Substrate EJ[0-1-1]±0,5°
Überblick
GaAs-Anwendungen decken eine Vielzahl von Transistoren für die Industrie ab, die Glasfaserkommunikation, drahtlose Netzwerke (WLAN), Mobiltelefone, Bluetooth-Kommunikation, Satellitenkommunikation, monolithische integrierte Mikrowellenschaltungen (MMIC) für 5G sowie integrierte Hochfrequenzschaltungen (RFIC) umfassen ).
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GaAs-Si-Wafer |
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Wachstumsmethode |
VGF |
| Verhaltenstyp | SCN |
| Dotierstoff | GaAs-Si |
| Orientierung | (100) 15° ± 0,5° Aus Richtung <111>A |
| Orientierungswinkel | 0° |
| OF Orientierung | EJ[0-1-1]±0,5° |
| OF Länge (mm) | 17±1 |
| IF-Ausrichtung | EJ[0-11]±0,5° |
| IF-Länge (mm) | 7±1 |
| Durchmesser (mm) | 50,8 ± 0,2 |
| CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
| Widerstand (ohm.cm) | N / A |
| Mobilität (cm2/vs) | ≥1000 |
| EPD(/cm2) | ≤5000 |
| Dicke (um) | 350±20 |
| TTV (ähm) | <10 |
| TTR (ähm) | <10 |
| Schleife (ähm) | <15 |
| Warp (ähm) | <15 |
| Oberfläche | Seite 1: Poliert Seite 2: Geätzt |
| Verpackung | Kassette oder Single |
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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