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M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate
M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Großes Bild :  M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD01-001-009
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Beschreibung
Maße: 5 x 10mm ² Stärke: 350 ±25µm
Bogen: - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm Makrodefekt-Dichte: ² 0cm⁻
Verwendbarer Bereich: > 90% (Randausschluß) Versetzungsdichte: Von 1 x 10⁵ bis 3 x 10⁶ cm⁻²

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Gerätoblate


Überblick
Dünne Epi-Oblaten sind für Vorderkante MOS-Geräte allgemein verwendet. Starkes Epi oder vielschichtige Epitaxial- Oblaten werden für die Geräte hauptsächlich verwendet, um elektrischen Strom zu steuern, und sie tragen zum Verbessern der Leistungsfähigkeit des Energieverbrauchs bei.

Substrat des Gallium-Nitrids (GaN) ist ein hochwertiges Einzelkristallsubstrat. Es wird mit ursprünglicher HVPE-Methode und Verfahrenstechnik der Oblate gemacht, die ursprünglich jahrelang entwickelt worden ist. Die Eigenschaften sind hohe kristallene, gute Einheitlichkeit und überlegene Oberflächenbeschaffenheit.

M stellen freistehende GaN-Substrate gegenüber
Einzelteil

GaN-Rumpfstation-M-u-s

GaN-Rumpfstation-M-n-s

GaN-RUMPFSTATION-m-SI-s

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate 0

Anmerkungen:

Ein Kreisbogenwinkel (R < 2="" mm="">

Maße 5 x 10 Millimeter2
Stärke µm 350 ±25
Orientierung

M-Fläche (1 - 100) weg vom Winkel in Richtung zur Ein-Achse 0 ±0.5°

M-Fläche (1 - 100) weg vom Winkel in Richtung zur C-Achse - 1 ±0.2°

Leitungs-Art N-artig N-artig Halb-Isolieren
Widerstandskraft (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOGEN - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm
Front Surface Roughness

< 0="">

oder < 0="">

Hintere Oberflächenrauigkeit

0,5 μm ~1,5

Wahl: 1~3 Nanometer (feiner Boden); < 0="">

Versetzungsdichte Von 1 x 105 bis 3 x 106 cm2
Makrodefekt-Dichte 0 cm2
Verwendbarer Bereich > 90% (Randausschluß)
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, 6 PCS im Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre

Anhang: Das Diagramm von miscut Winkel

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate 1

Wenn δ1 = 0 ist Grad ±0.5, dann m-Fläche (1 - 100) weg vom Winkel in Richtung zur Ein-Achse 0 Grad ±0.5.

Wenn δ2 = - 1 Grad ±0.2, dann m-Fläche (1 - 100) weg vom Winkel in Richtung zur C-Achse ist - 1 Grad ±0.2.

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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