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Sic JDZJ01-001-006 Impfkristall S ordnen 6" s-Grad φ153±0.5mm

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Sic JDZJ01-001-006 Impfkristall S ordnen 6" s-Grad φ153±0.5mm

Sic JDZJ01-001-006 Impfkristall S ordnen 6" s-Grad φ153±0.5mm
Sic JDZJ01-001-006 Impfkristall S ordnen 6" s-Grad φ153±0.5mm

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Produktdetails:
Modellnummer: JDZJ01-001-006
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Verpackt in einem Reinraum in einem Einzelsamenbehälter
Lieferzeit: 3-4 Wochentage

Sic JDZJ01-001-006 Impfkristall S ordnen 6" s-Grad φ153±0.5mm

Beschreibung
Verzerrung (μm): ≤50μm Durchmesser: 153 ± 0,5 mm
Kantenlänge der Hauptpositionierung: 8,0 ± 2,0 Stärke: 500 ± 50 mm
Bogen: ≤50μm Einzelner Kristallzonendurchmesser (Millimeter): ≥150MM

Sic Grad 6" des Impfkristalls S s-Grad φ153±0.5mm

Kann einer Spannungssteigung (oder elektrischem Feld) über achtmal größer als als Si oder GaAs sic widerstehen, ohne Lawinenzusammenbruch durchzumachen. Dieses elektrische Feld des hohen Zusammenbruches ermöglicht der Herstellung von sehr Hochspannungs-, starken Geräten wie Dioden, von Energie transitors, von Energiethyristoren und -Überspannungsschutzen sowie von Mikrowellengeräten der hohen Leistung. Zusätzlich erlaubt es, dass die Geräte sehr nah zusammen gesetzt werden und hohe GerätInformationsdichte für integrierte Schaltungen zur Verfügung stellen.

Grad S Niveau S Niveau
Impfkristallspezifikationen 6" sic 6" sic
Durchmesser (Millimeter) 153±0.5 155±0.5
Stärke (μm) 500±50 500±50
Bogen (μm) ≤50 ≤50
Verzerrung (μm) ≤50 ≤50
Kristallrichtung 4°off-axis toward±0.5°<11-20> 4°off-axis toward±0.5°<11-20>
Hauptpositionierungskantenlänge 18.0±2.0 18.0±2.0
Subpositions-dege Länge 8.0±2.0 8.0±2.0
Positionierung von Randrichtung

Sigesicht: drehen Sie sich nach rechts entlang die Hauptpositionierungsseite: 90°±5°

C-Gesicht: drehen Sie sich links herum entlang die Hauptpositionierungsseite: 90°±5°

Sigesicht: drehen Sie sich nach rechts entlang die Hauptpositionierungsseite: 90°±5°

C-Gesicht: drehen Sie sich links herum entlang die Hauptpositionierungsseite: 90°±5°

Widerstandskraft 0.01~0.04Ω·cm 0.01~0.04Ω·cm
Oberflächenrauigkeit DSP, c-Gesicht Ra≤1.0nm DSP, c-Gesicht Ra≤1.0nm
Einzelner Kristallzonendurchmesser (Millimeter) ≥150mm ≥152mm
Microtubuledichte ≤0.5/cm2 ≤0.5/cm2
Einsturzseite ≤2mm ≤2mm
Verpackungsmethode Einzelstückverpackung Einzelstückverpackung
Anmerkung: Einzelne Kristallzone bezieht sich den auf Bereich ohne Sprung und polytype.

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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