Substrat P-SBD Grades 6inch 4H-SiC N-artige Aus-Achse: ° <11-20>4°toward ±0.5
Substrat N-artiges P-SBD 6inch 4H-SiC ordnen 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Widerstandskraft 0.015Ω•Cm-0.025Ω•cm für Energie und Microw
Substrat 6inch 4H-SiC N-artig
Überblick
Unser Firma-hava ein integrierendes Kristallwachstum, ein Kristall, der verarbeiten, eine verarbeitende Oblate, ein Polieren, ein Säubern und eine Prüfung der kompletten sic (Silikonkarbid) Oblatensubstratfertigungsstraße. Heutzutage liefern wir Handels-sic Oblaten 4H und 6H mit halb Isolierung und Leitfähigkeit in der Aufachse oder in der Ausachse, verfügbare Größe: 5x5mm2,10x10mm2, 2", 3", 4" und 6", brechend durch Schlüsseltechnologien wie Defektunterdrückung, Impfkristallverarbeitung und schnelles Wachstum und fördern die grundlegende Forschung und Entwicklung bezogen auf Silikonkarbidepitaxie, die Geräte, etc.
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Eigentum
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Grad P-MOS |
P-SBD Grad |
D-Grad |
| Crystal Form |
4H |
| Polytype |
Keine ermöglichten |
Area≤5% |
| (MPD) a |
≤0.2 /cm2 |
≤0.5 /cm2 |
≤5 /cm2 |
| Hexen-Platten |
Keine ermöglichten |
Area≤5% |
| Sechseckiges Polycrystal |
Keine ermöglichten |
| Einbeziehungen a |
Area≤0.05% |
Area≤0.05% |
N/A |
| Widerstandskraft |
0.015Ω•cm-0.025Ω•cm |
0.015Ω•cm-0.025Ω•cm |
0.014Ω•cm-0.028Ω•cm |
| (EPD) a |
≤4000/cm2 |
≤8000/cm2 |
N/A |
| (TED) a |
≤3000/cm2 |
≤6000/cm2 |
N/A |
| (BPD) a |
≤1000/cm2 |
≤2000/cm2 |
N/A |
| (TSD) a |
≤600/cm2 |
≤1000/cm2 |
N/A |
| Stapelfehler |
≤0.5% Bereich |
≤1% Bereich |
N/A |
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Metallische Oberflächenverschmutzung
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(Al, Cr, F.E., Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mangan) ≤1E11 cm-2
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| Durchmesser |
150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm |
| Oberflächenorientierung |
Aus-Achse: ° <11-20>4°toward ±0.5 |
| Flache hauptsächlichlänge |
47,5 Millimeter ± 1,5 Millimeter |
| Flache zweitenslänge |
Keine Sekundärebene |
| Flache hauptsächlichorientierung |
Paralleles to±1°<11-20> |
| Flache zweitensorientierung |
N/A |
| Orthogonales Misorientation |
±5.0° |
| Oberflächenende |
C-Gesicht: Optisches Polnisches, Si-Gesicht: CMP |
| Oblaten-Rand |
Abschrägung |
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Oberflächenrauigkeit
(10μm×10μm)
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Si-Gesicht Ra≤0.20 Nanometer; C-Gesicht Ra≤0.50 Nanometer |
| Stärke a |
μm 350.0μm± 25,0 |
| LTV (10mm×10mm) a |
≤2μm |
≤3μm |
| (TTV) a |
≤6μm |
≤10μm |
| (BOGEN) a |
≤15μm |
≤25μm |
≤40μm |
| (Verzerrung) a |
≤25μm |
≤40μm |
≤60μm |
| Chips/Einzüge |
Keine ermöglichten ≥0.5mm-Breite und -tiefe |
Breite und Tiefe Qty.2 ≤1.0 Millimeter |
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Kratzer a
(Si-Gesicht, CS8520)
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≤5 und kumulativer Length≤0.5×Wafer-Durchmesser |
≤5 und kumulatives Length≤1.5×Wafer
Durchmesser
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| TUA (2mm*2mm) |
≥98% |
≥95% |
N/A |
| Sprünge |
Keine ermöglichten |
| Verschmutzung |
Keine ermöglichten |
| Eigentum |
Grad P-MOS |
P-SBD Grad |
D-Grad |
| Rand-Ausschluss |
3mm |
Anmerkung: 3mm Randausschluß wird für die Einzelteile verwendet, die mit A. markiert werden.
Über uns
Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.
FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
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