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Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung2024-10-14 17:06:30 |
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4H SiC-Epitaxialwafer SiC-Wafer-Substrat für photonische Geräte ISO90012022-10-25 14:35:48 |
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150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 4H-Kristallform2022-10-24 10:20:57 |
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Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um2022-10-24 10:21:01 |
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4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm2022-10-24 10:21:37 |
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150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 47,5 mm ± 1,5 mm2022-10-24 10:23:40 |
