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silicon carbide epitaxial wafers online manufacture

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Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP
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2022-10-24 10:26:24

sic Epitaxial- Oblate 6inch
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2022-10-09 16:56:20

47,5 Millimeter ± Epitaxial- Oblate 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm paralleles to<11-20>±1° 1,5 Millimeter sic
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2024-10-29 11:49:58

0.015Ω•cm-0.025Ω•Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP cm sic
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2024-10-29 11:49:58

150.0mm +0mm/-0.2mm sic Epitaxial- Oblate keine Sekundärebene 3mm
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2024-10-29 11:49:58

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 47,5 mm ± 1,5 mm
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2022-10-24 10:23:40

4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 4H-Kristallform
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2022-10-24 10:20:57

4H sic Epitaxial- Oblate ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm
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2024-10-29 11:49:58

N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34

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0.015Ω•cm-0.025Ω•Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP cm sic
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150.0mm +0mm/-0.2mm sic Epitaxial- Oblate keine Sekundärebene 3mm
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150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 4H-Kristallform
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP