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n type sic epitaxial wafer online manufacture

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kaufen sic Epitaxial- Oblate 6inch Online fabricant

sic Epitaxial- Oblate 6inch
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2022-10-09 16:56:20
kaufen 47,5 Millimeter ± Epitaxial- Oblate 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm paralleles to<11-20>±1° 1,5 Millimeter sic Online fabricant

47,5 Millimeter ± Epitaxial- Oblate 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm paralleles to<11-20>±1° 1,5 Millimeter sic
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm Online fabricant

4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 0.015Ω•cm-0.025Ω•Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP cm sic Online fabricant

0.015Ω•cm-0.025Ω•Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP cm sic
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer Online fabricant

2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer
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2024-12-06 17:41:10
kaufen Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer Online fabricant

Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer
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2024-12-06 17:37:25
kaufen 6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm Online fabricant

6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
kaufen 6 Zoll 4H SiC N-Substrat 47,5 mm Keine sekundäre Ebene Online fabricant

6 Zoll 4H SiC N-Substrat 47,5 mm Keine sekundäre Ebene
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2022-10-24 10:26:17
kaufen N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm Online fabricant

N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34
kaufen Sic n-Art Substrat Online fabricant

Sic n-Art Substrat
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2022-10-09 16:57:15
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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