Ra 0,3 nm Ga2O3 Einkristall-Epitaxialwafer 2 Zoll 4 Zoll

Ra ≤ 0,3 nm Dicke des Einkristallsubstrats 0,6 bis 0,8 mm Ausrichtung (-201)

10 x 10 mm²(-201) Fe-dotiertes freistehendes Ga₂Ö₃Einkristallsubstrat Einzelpolierung in Produktqualität Dicke 0,6 ~ 0,8 mm FWHM ＜ 350 Bogensekunden, Ra ≤ 0,3 nm Optoelektronische Geräte, Isolierschichten aus Halbleitermaterialien und UV-Filter

Die Zahl der Veröffentlichungen auf Ga₂Ö₃hat sich in den letzten Jahren beschleunigt, wie aus Abbildung 1 hervorgeht, aufgrund des Interesses an elektronischen und photonischen Geräten mit Fähigkeiten, die über bestehende Technologien hinausgehen.Es gab ein gesundes Gleichgewicht experimenteller und theoretischer Untersuchungen der Eigenschaften von Ga₂Ö₃System

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.

FAQ

F: Sind Sie Handelsunternehmen oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
F: Wie lange ist Ihre Lieferzeit?
In der Regel sind es 3-5 Tage, wenn die Ware auf Lager ist.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Ware nicht auf Lager ist, es ist nach Menge.
F: Stellen Sie Proben zur Verfügung?Ist es kostenlos oder extra?
Ja, wir könnten das Muster kostenlos anbieten, zahlen aber nicht die Frachtkosten.
F: Wie lauten Ihre Zahlungsbedingungen?
Zahlung <=5000USD, 100% im Voraus.
Paymen >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Restbetrag vor Versand.