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Produktdetails:
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| Produktname: | GaAs (100) Undotierte Substrate | Wachstums-Methode: | VGF |
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| Verhaltenstyp: | S-C-N | Dotierstoff: | GaAs-Si |
| Orientierungswinkel: | 0° | OF Orientierung: | EJ[0-1-1]±0,5° |
| Hervorheben: | Optisches Galliumarsenid-Substrat,Epi-Wafer für optische Kommunikation,LED-Galliumarsenid-Substrat |
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2 Zoll GaAs (100) undotierte Substrate
Überblick
Galliumarsenid wird bei der Herstellung von Leuchtdioden (LEDs) verwendet, die in optischen Kommunikations- und Steuerungssystemen zu finden sind.Galliumarsenid kann Silizium bei der Herstellung von linearen ICs und digitalen ICs ersetzen.Zu den linearen (auch als analog bezeichneten) Geräten gehören Oszillatoren und Verstärker.Digitale Geräte werden zum elektronischen Schalten und auch in Computersystemen verwendet.
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GaAs-Si-Wafer |
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Wachstumsmethode |
VGF |
| Verhaltenstyp | SCN |
| Dotierstoff | GaAs-Si |
| Orientierung | (100) 15° ± 0,5° Aus Richtung <111>A |
| Orientierungswinkel | 0° |
| OF Orientierung | EJ[0-1-1]±0,5° |
| OF Länge (mm) | 17±1 |
| IF-Ausrichtung | EJ[0-11]±0,5° |
| IF-Länge (mm) | 7±1 |
| Durchmesser (mm) | 50,8 ± 0,2 |
| CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
| Widerstand (ohm.cm) | N / A |
| Mobilität (cm2/vs) | ≥1000 |
| EPD(/cm2) | ≤5000 |
| Dicke (um) | 350±20 |
| TTV (ähm) | <10 |
| TTR (ähm) | <10 |
| Schleife (ähm) | <15 |
| Warp (ähm) | <15 |
| Oberfläche | Seite 1: Poliert Seite 2: Geätzt |
| Verpackung | Kassette oder Single |
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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