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Produktdetails:
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| Produktname: | GaAs-Si-Wafer | Wachstums-Methode: | VGF |
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| Verhaltenstyp: | S-C-N | OF Orientierung: | EJ[0-1-1]±0,5° |
| OF Länge (mm): | 17±1 | IF-Ausrichtung: | EJ[0-11]±0,5° |
| Hervorheben: | 18mm GaAs Si-Oblate,Undoped Substrate VGF GaAs,GaAs-Si-Oblate 2inch |
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(100) Undoped Substrate 2inch GaAs
Überblick
GaAs ist als Substratmaterial für die Epitaxie anderer III-V Halbleiter, einschließlich IndiumGalliumarsenid, Aluminiumgalliumarsenid und andere häufig benutzt.
Galliumarsenid (chemische Formel GaAs) ist ein Halbleitermittel, das in irgendeiner Diode s, in Feldeffekttransistor s (FETs) benutzt wird und in integrierter Schaltung s (IC). Die Ladungsträger, die größtenteils Elektron s sind, Bewegung an der hohen Geschwindigkeit unter dem Atom S.
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GaAs-Si-Oblate |
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Wachstums-Methode |
VGF |
| Führungs-Art | S-C-N |
| Dopant | GaAs-Si |
| Orientierung | (100) 15°±0.5° weg von TowardA<111> |
| Orientierungs-Winkel | 0° |
| Von der Orientierung | EJ [0-1-1] ±0.5° |
| Von der Länge (Millimeter) | 17±1 |
| WENN Orientierung | EJ [0-11] ±0.5° |
| WENN Länge (Millimeter) | 7±1 |
| Durchmesser (Millimeter) | 50.8±0.2 |
| Cm (/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
| Widerstandskraft (ohm.cm) | N/A |
| Mobilität (cm2/v.s) | ≥1000 |
| EPD (/cm2) | ≤5000 |
| Stärke (um) | 350±20 |
| TTV (um) | <10> |
| TTR (um) | <10> |
| Beugen Sie (um) | <15> |
| Verwerfen Sie sich (um) | <15> |
| Oberfläche | Side1: Poliertes Side2: Geätzt |
| Verpacken | Kassette oder einzelnes |
Über uns
Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.
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