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Ga2O3 Fe-dotiertes Wafer-Einkristallsubstrat 10 x 10 mm2 freistehend

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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Ga2O3 Fe-dotiertes Wafer-Einkristallsubstrat 10 x 10 mm2 freistehend

Ga2O3 Fe-dotiertes Wafer-Einkristallsubstrat 10 x 10 mm2 freistehend
Ga2O3 Fe-dotiertes Wafer-Einkristallsubstrat 10 x 10 mm2 freistehend

Großes Bild :  Ga2O3 Fe-dotiertes Wafer-Einkristallsubstrat 10 x 10 mm2 freistehend

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD04-001-001
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage

Ga2O3 Fe-dotiertes Wafer-Einkristallsubstrat 10 x 10 mm2 freistehend

Beschreibung
FWHM: <350arcsec> Polierte Oberfläche: Simplex poliert
Stärke: 0.6~0.8mm Produktname: Einzelner Crystal Substrate
Ra: ≤0.3nm Paket: Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, unter einer Stickstoffatmosphäre
Hervorheben:

Ga2O3 Fe-dotierter Wafer

,

Einkristall-Ga2O3-Substrat

,

Fe-dotierter Wafer 10x10mm2

10 x 10 mm2(-201) Fe-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristallsubstrat Einzelpolierung in Produktqualität Dicke 0,6 ~ 0,8 mm FWHM < 350 Bogensekunden, Ra ≤ 0,3 nm Optoelektronische Geräte, Isolierschichten aus Halbleitermaterialien und UV-Filter

 

 

Ga2Ö3hat eine lange Geschichte und die Phasengleichgewichte der Al2Ö3-Ga2Ö3-H2O-System wurde erstmals 1952 1 beschrieben, in dem die Polymorphe (dh unterschiedliche Formen oder Kristallstrukturen) von Ga2Ö3und ihre Stabilitätsregionen wurden ebenfalls identifiziert.

Es gibt fünf allgemein identifizierte Polymorphe von Ga2Ö3, gekennzeichnet als α, β, γ, δ und ε 2-10.Diese sind jeweils als Korund (α), monoklin (β), defekter Spinell (γ), orthorhombisch (ε) bekannt, wobei die δ-Phase allgemein als eine Form der orthorhombischen Phase akzeptiert wird.

 

 

Galliumnitridsubstrat – Produktebene
Maße 10*15mm 10*10mm
Dicke 0,6 ~ 0,8 mm
Orientierung (201)
Doping Fe Sn
Polierte Oberfläche Einseitig poliert
Widerstand/Nd-Na / <9E18
FWHM <350 arcsec
Ra ≤0,3nm
Paket Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100 unter Stickstoffatmosphäre

 

 

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.

 

 

FAQ

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Wir sind Fabrik.
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In der Regel sind es 3-5 Tage, wenn die Ware auf Lager ist.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Ware nicht auf Lager ist, es ist nach Menge.
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Ja, wir könnten das Muster kostenlos anbieten, zahlen aber nicht die Frachtkosten.
F: Wie lauten Ihre Zahlungsbedingungen?
Zahlung <=5000USD, 100% im Voraus.
Zahlung > = 5000 USD, 80 % T/T im Voraus, Restbetrag vor Versand.

 

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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