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free standing gan substrates online manufacture

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kaufen Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer M steht freistehenden GaN-Substraten gegenüber Online Hersteller

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer M steht freistehenden GaN-Substraten gegenüber
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5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Lesen Sie weiter
2023-02-17 10:52:50
kaufen 10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm Online Hersteller

10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
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10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Applications Laser diodes: violet LD, blue LD, and green LD Power electronic devices, High ... Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:50
kaufen Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate Online Hersteller

Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate
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10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview GaN Substrates GaN (gallium nitride) substrates and wafers with high quality (low ... Lesen Sie weiter
2025-04-04 22:43:28
kaufen Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates Online Hersteller

Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Lesen Sie weiter
2023-02-17 10:57:06
kaufen 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate Online Hersteller

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate
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2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... Lesen Sie weiter
2024-10-14 17:06:30
kaufen M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um Online Hersteller

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Lesen Sie weiter
2022-10-08 17:04:46
kaufen 10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat Online Hersteller

10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat
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10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview Premium quality GaN crystal substrates with low dislocation density (on the order ... Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:50
kaufen TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W Online Hersteller

TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W
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5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:51
kaufen Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht Online Hersteller

Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht
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5*10mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Thin Epi wafers are commonly used for leading edge MOS devices. Thick Epi or Multi... Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:51
kaufen 5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm Online Hersteller

5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm
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5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:51
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Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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