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free standing gan substrates online manufacture

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kaufen Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer M steht freistehenden GaN-Substraten gegenüber Online fabricant

Un-dotierter GaN-Epitaxialwafer M steht freistehenden GaN-Substraten gegenüber
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2023-02-17 10:52:50
kaufen 10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm Online fabricant

10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
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2025-04-27 11:43:50
kaufen Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate Online fabricant

Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate
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2025-04-04 22:43:28
kaufen Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates Online fabricant

Ein Gesicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06
kaufen 2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate Online fabricant

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate
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2024-10-14 17:06:30
kaufen M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um Online fabricant

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46
kaufen 10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat Online fabricant

10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat
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2025-04-27 11:43:50
kaufen Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht Online fabricant

Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht
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2025-04-27 11:43:51
kaufen TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W Online fabricant

TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W
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kaufen 5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm Online fabricant

5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm
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