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gallium nitride semiconductor wafer online manufacture

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50.8mm Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer 2 Zoll-freie Stellung
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50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Lesen Sie weiter

2022-10-08 17:22:16

Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C
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2-inch Free-standing SI-GaN Substrates An epitaxial wafer (also called epi wafer, epi-wafer, or epiwafer) is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (epitaxy) for use in photonics, ... Lesen Sie weiter

2024-10-29 11:49:57

Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um
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5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN substrate has a damage-free, very flat (Rms < 0.2 nm), controlled surface ... Lesen Sie weiter

2024-10-29 11:49:57

GaN-Einkristall-Galliumnitrid-Wafer SI-Typ
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5*10.5mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal ... Lesen Sie weiter

2022-10-08 15:51:24

Einzelkristall Gan Epi Wafer Galliumnitrid Substrat 4 Zoll
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Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material... Lesen Sie weiter

2024-12-06 17:44:01

Doping Halbleiter-einzelnes Crystal Gallium Oxide Substrates UID
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Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM Lesen Sie weiter

2022-10-09 10:30:43

Simplex polierte Ga2O3 Oblate einzelner Crystal Substrate
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10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Lesen Sie weiter

2024-10-29 11:49:58

375 um GaN-Epitaxialwafer, freistehende U-GaN-SI-GaN-Substrate
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350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview ... Lesen Sie weiter

2024-11-18 19:17:19

2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium
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Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing ... Lesen Sie weiter

2024-12-06 17:35:32

4 Zoll uGaN auf Silizium undoped Galliumnitrid auf Silizium Epitaxial Wafer
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2024-12-06 17:33:43

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2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium
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4 Zoll uGaN auf Silizium undoped Galliumnitrid auf Silizium Epitaxial Wafer
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP