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JDZJ01-001-007 Siliziumkarbid-Impfkristall

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JDZJ01-001-007 Siliziumkarbid-Impfkristall

JDZJ01-001-007 Siliziumkarbid-Impfkristall
JDZJ01-001-007 Siliziumkarbid-Impfkristall

Großes Bild :  JDZJ01-001-007 Siliziumkarbid-Impfkristall

Produktdetails:
Modellnummer: JDZJ01-001-007
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Verpackt in einem Reinraum in einem Einzelsamenbehälter
Lieferzeit: 3-4 Wochentage

JDZJ01-001-007 Siliziumkarbid-Impfkristall

Beschreibung
Durchmesser: 105 ± 0,5 mm Fördermaschinen-Art: 500 ± 50 μm
TTV: ≤15μm Bogen (μm) /Warp (μm): ≤45
Kristallrichtung: 4°off-axis toward<11-20>±0.5° Kantenlänge der Hauptpositionierung: 32,5 ± 2,0
Unterposition dege length: 18,0 ± 2,0 Widerstandskraft: 0.01~0.028Ω·cm
Hervorheben:

Silikonkarbid-Samenkristall

Karbid-Impfkristall des Silikon-JDZJ01-001-007

Elektronische Geräte bildeten sich in sic können an den hohen Temperaturen extrem funktionieren, ohne unter Eigenleitungseffekten zu leiden weil von der breiten Energiebandlücke. Auch dieses Eigentum darf sic kurzwelliges Licht ausstrahlen und ermitteln, das die Herstellung vom bluelight fast blinde UVsolarphotodetektoren ausstrahlend die möglichen Dioden und macht.

4&6inch sic Impfkristall
Grad S Niveau S Niveau
Impfkristallspezifikationen 6" sic 6" sic
Durchmesser (Millimeter) 105±0.5 153±0.5
Stärke (μm) 500±50 350±20 oder 500±50
TTV (μm) ≤15 ≤15
Bogen (μm) /Warp (μm) ≤45 ≤60
Kristallrichtung 4°off-axis toward±0.5°<11-20> 4°off-axis toward±0.5°<11-20>
Hauptpositionierungskantenlänge 32.5±2.0 18.0±2.0
Subpositions-dege Länge 18.0±2.0 6.0±2.0
Positionierung von Randrichtung

Sigesicht: drehen Sie sich nach rechts entlang die Hauptpositionierungsseite: 90°±5°

C-Gesicht: drehen Sie sich links herum entlang die Hauptpositionierungsseite: 90°±5°

Sigesicht: drehen Sie sich nach rechts entlang die Hauptpositionierungsseite: 90°±5°

C-Gesicht: drehen Sie sich links herum entlang die Hauptpositionierungsseite: 90°±5°

Widerstandskraft 0.01~0.028Ω·cm 0.01~0.028Ω·cm
Oberflächenrauigkeit SSP, polierendes c-Gesicht, Ra≤1.0nm DSP, c-Gesicht Ra≤1.0nm
Einzelner Kristallzonendurchmesser (Millimeter) ≥102mm ≥150mm
Microtubuledichte ≤1/cm2 ≤1/cm2
Einsturzseite ≤1mm ≤2mm
Verpackungsmethode Einzelstückverpackung Einzelstückverpackung
Anmerkung: Einzelne Kristallzone bezieht sich den auf Bereich ohne Sprung und polytype.

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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