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Siliziumscheibe

CHINA Siliziumscheibe

Diskrete Geräte 2 Zoll Siliziumwafer Dicke 675 um 725 um 775 um

Durchmesser:2"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
Halbleiterbauelemente 8-Zoll- Wafer 775um 725um 675um

Durchmesser:2"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
2'' Halbleiter-Siliziumwafer Dicke 279μm

Durchmesser:2"

Orientierung:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Art/Dopant:P-Art/Bor, n-Art/Phos, N Type/As, N Type/Sb
MEMS-Bauelemente Siliziumsubstrate Integrierte Schaltungen Dediziert

Durchmesser:2"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
JDCD06-001-003 4 Zoll Geräte der Siliziumscheibe-MEMS, integrierte Schaltungen, engagierte Substrate für getrennte Geräte

Durchmesser:4"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
JDCD06-001-002 3-Zoll-Siliziumwafer-MEMS-Bauelemente, integrierte Schaltkreise, dedizierte Substrate für diskrete Bauelemente

Durchmesser:3"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
JDCD07-001-003 6 Zoll SOI Epitaxial Wafer For MEMS Verarbeitung

Orientierung:<100>,<111>

Art/Dopant:P-Art/Bor, n-Art/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Dicke (μm):300-725
JDCD07-001-004 7-Zoll-SOI-Epitaxialwafer für die MEMS-Verarbeitung

Durchmesser:7"

Orientierung:<100>,<111>

Art/Dopant:P-Art/Bor, n-Art/Phos, N Type/As, N Type/Sb
JDCD07-001-002 5 Zoll SOI Epitaxial Wafer For MEMS Verarbeitung

Orientierung:<100>,<111>

Art/Dopant:P-Art/Bor, n-Art/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Die Einheitlichkeit:<5>
JDCD07-001-001 4-Zoll-SOI-Epitaxialwafer für die MEMS-Verarbeitung

Durchmesser:4"

Orientierung:<100>,<111>

Art/Dopant:P-Art/Bor, n-Art/Phos, N Type/As, N Type/Sb
JDCD06-001-007 12 Zoll Geräte der Siliziumscheibe-MEMS, integrierte Schaltungen, engagierte Substrate für getrennte Geräte

Durchmesser:12"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ
JDCD06-001-006 8-Zoll-Siliziumwafer-MEMS-Geräte, integrierte Schaltkreise, dedizierte Substrate für diskrete Geräte

Durchmesser:8"

Grad:Haupt

Wachstums-Methode:CZ

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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP