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n type sic crystal online manufacture

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kaufen 4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht Online Hersteller

4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht
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JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 17:01:35
kaufen 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte Online Hersteller

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte
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2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices Overview Gallium Nitride (GaN) epitaxial wafers (epi-wafers). GaN high-electron-mobility transistors ... Lesen Sie weiter
2025-04-04 22:43:44
kaufen Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung Online Hersteller

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung
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2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The growth characteristics of Fe-doped GaN epitaxial layers on semi-insulating SiC (001) substrates ... Lesen Sie weiter
2024-10-14 17:06:30
kaufen P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend Online Hersteller

P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend
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P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:21:46
kaufen Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate Online Hersteller

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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M Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0.2 Nm (Polished) Or < 0.3 nm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser ... Lesen Sie weiter
2022-10-08 17:19:48
kaufen SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um Online Hersteller

SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um
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5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Lesen Sie weiter
2022-10-08 16:41:01
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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