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n type sic crystal online manufacture

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kaufen 0.015Ω•cm-0.025Ω•Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP cm sic Online fabricant

0.015Ω•cm-0.025Ω•Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP cm sic
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte Online fabricant

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte
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2025-04-04 22:43:44
kaufen Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung Online fabricant

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung
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2024-10-14 17:06:30
kaufen P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend Online fabricant

P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend
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2022-10-24 10:21:46
kaufen Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate Online fabricant

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
kaufen SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um Online fabricant

SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um
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2022-10-08 16:41:01
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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