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n type sic crystal online manufacture

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kaufen Sic Kristall 4" des Barren-JDZJ01-001-002 d-Grad Online fabricant

Sic Kristall 4" des Barren-JDZJ01-001-002 d-Grad
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2025-04-04 22:43:20
kaufen 4" P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Online fabricant

4" P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm
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2022-09-27 17:35:24
kaufen JDZJ01-001-004 SiC-Ingot-Kristall 6" P-Klasse Online fabricant

JDZJ01-001-004 SiC-Ingot-Kristall 6" P-Klasse
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2025-04-04 22:42:33
kaufen 100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm Online fabricant

100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm
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2022-09-27 17:01:26
kaufen Flacher Silikon-Karbid-hauptsächlichkristall 4" der Längen-32.5mm p-Grad 100.0mm Online fabricant

Flacher Silikon-Karbid-hauptsächlichkristall 4" der Längen-32.5mm p-Grad 100.0mm
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2022-09-27 17:01:05
kaufen 100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad Politype 4H Online fabricant

100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad Politype 4H
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2022-10-09 10:12:00
kaufen 47,5 Millimeter ± Epitaxial- Oblate 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm paralleles to<11-20>±1° 1,5 Millimeter sic Online fabricant

47,5 Millimeter ± Epitaxial- Oblate 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm paralleles to<11-20>±1° 1,5 Millimeter sic
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 2-Zoll-SiC-Substrat 350 μm für anspruchsvolle Leistungselektronik Online fabricant

2-Zoll-SiC-Substrat 350 μm für anspruchsvolle Leistungselektronik
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm Online fabricant

4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
kaufen 150 mm 4H SiC-Wafer, halbisolierendes Substrat, 6 Zoll, 350 μm Online fabricant

150 mm 4H SiC-Wafer, halbisolierendes Substrat, 6 Zoll, 350 μm
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2022-10-24 10:22:12
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Sic Epitaxial- Oblate

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4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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