Referenzen |
Startseite Produktep type silicon substrate Online-Hersteller
Alle Produkte

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial- Oblate

(39)

GaAs-Epi-Wafer

(15)

CVD-Diamantsubstrate

(15)

Schnelles thermisches Vergütungssystem

(2)

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

(3)

Aluminium-Nitrid-Oblate

(21)

Laserdiode-Chip

(10)

Silikon-Karbid-Kristall

(12)

Ga2O3-Wafer

(13)

Siliziumscheibe

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Kopierte Sapphire Substrates

(10)

oblaten-Halter

(1)

Wafer-Dicing-Maschine

(5)
Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
Ich bin online Chat Jetzt

p type silicon substrate online manufacture

(46)
kaufen Diskrete Geräte 2 Zoll Siliziumwafer Dicke 675 um 725 um 775 um Online fabricant

Diskrete Geräte 2 Zoll Siliziumwafer Dicke 675 um 725 um 775 um
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-09-27 16:50:52
kaufen Getrennte Gerät-Si-Substrate P/E P/P E/Z.B. /G Oberflächen beendet Online fabricant

Getrennte Gerät-Si-Substrate P/E P/P E/Z.B. /G Oberflächen beendet
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-09-27 16:53:50
kaufen 2-Zoll-SiC-Substrat 350 μm für anspruchsvolle Leistungselektronik Online fabricant

2-Zoll-SiC-Substrat 350 μm für anspruchsvolle Leistungselektronik
Kontakt

Lesen Sie weiter
2024-10-29 11:49:58
kaufen Wachstums-Methode CZ-Siliziumscheibe 5" Orientierung <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> Online fabricant

Wachstums-Methode CZ-Siliziumscheibe 5" Orientierung <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-09-27 16:53:40
kaufen Haupt- 2&quot; Siliziumscheibe Standard-&lt;10 μm maximales Capabilities&lt;5um Online fabricant

Haupt- 2" Siliziumscheibe Standard-<10 μm maximales Capabilities<5um
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-09-27 16:52:11
kaufen Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer Online fabricant

Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer
Kontakt

Lesen Sie weiter
2024-12-06 17:37:25
kaufen 6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um Online fabricant

6-Zoll-N-Typ-Wafer P-MOS-Klasse 4H-SiC-Substrat 350,0 ± 25,0 um
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:21:10
kaufen Sic n-Art Substrat Online fabricant

Sic n-Art Substrat
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-09 16:57:15
kaufen 100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4&quot; p-Grad Politype 4H Online fabricant

100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad Politype 4H
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-10-09 10:12:00
kaufen 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N Online fabricant

0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N
Kontakt

Lesen Sie weiter
2022-09-27 17:01:16
Page 3 of 5|< 1 2 3 4 5 >|
über

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

NACHRICHT HINTERLASSEN

Datenschutz-Bestimmungen | CHINA Gut Qualität GaN Epitaxial Wafer Fournisseur. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.