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Produktdetails:
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| Abmessung: | 2 - 4 Zoll | ||
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| Hervorheben: | Epitaxialwafer mit Galliumnitrid auf Siliziumbasis,HEMT-Epitaxialwafer,4 Zentimeter hohe Epitaxialwafer |
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Einführung in GaN auf Silizium-HEMT-Epi-Wafer
Die auf Silizium basierende Galliumnitrid-HEMT-Epitaxialwafer ist eine auf Galliumnitrid (GaN) basierende High-Electron-Mobility-Transistor-Epitaxialwafer.Seine Struktur umfasst hauptsächlich die AlGaN-SchrankeDiese Struktur ermöglicht es Galliumnitrid-HEMTs, eine hohe Elektronenmobilität und Sättigungselektronengeschwindigkeit zu haben.mit einer Leistung von mehr als 100 W und einer Leistung von mehr als 100 W.
Strukturelle Merkmale
AlGaN/GaN Heterojunction: Galliumnitrid HEMT basiert auf AlGaN/GaN Heterojunction, die einen zweidimensionalen Elektronengas (2DEG) -Kanal mit hoher Elektronenmobilität durch die Heterojunction bildet.
Abbauart und Verstärkungart: Galliumnitrid-HEMT-Epitaxialwafer sind in Abbauart (D-Modus) und Verstärkungart (E-Modus) unterteilt.Ausgelagerter Typ ist der natürliche Zustand von GaN-Leistungseinrichtungen, während ein erweiterter Typ spezielle Verfahren erfordert.
Epitaxialer Wachstumsprozess: Das Epitaxialwachstum umfasst die AlN-Nukleationsschicht, die Stressrelaxationspufferschicht, die GaN-Kanalschicht, die AlGaN-Schrankschicht und die GaN-Kappschicht.
Herstellungsprozess
Epitaxialwachstum: Wachstum einer oder mehrerer Schichten von Galliumnitrid-Dünnfolien auf einem Siliziumsubstrat zur Bildung hochwertiger epitaxialer Wafer.
Passivierungs- und Deckelschicht: SiN-Passivierungs- und u-GaN-Deckelschicht werden üblicherweise auf Galliumnitrid-Epitaxialwafern verwendet, um die Oberflächenqualität zu verbessern und die Epitaxialwafern zu schützen.
Anwendungsbereich
Hochfrequenzanwendungen: Aufgrund der hohen Elektronenmobilität und Sättigungsgeschwindigkeit von GalliumnitridmaterialienGalliumnitrid-HEMT sind für Hochfrequenzanwendungen wie 5G-Kommunikation geeignet., Radar und Satellitenkommunikation.
Anwendungen mit hoher Leistung: Galliumnitrid-HEMTs eignen sich gut für Anwendungen mit hoher Spannung und hoher Leistung und eignen sich für Bereiche wie Elektrofahrzeuge, Solarumrichter und industrielle Stromversorgungen.
Produktspezifikationen
| 2 bis 4 Zoll Blaue LED GaN auf Silizium | ||||||||||
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Artikel Si ((111) Substrate ((1500μm) |
AIN | AlGaN-Puffer | Nicht doppiertes GaN | N-GaN | MQW (7 Paare) | P-AlGaN | P-GaN |
P++GaN
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| InGaN-QW | GaN-QB | |||||||||
| Abmessung | 2 Zoll / 4 Zoll | |||||||||
| Stärke | 330 nm | 600 nm | 800 nm | 2800 nm | 3 nm | 5 nm | 30 nm | 60 nm | 20 nm | |
| Zusammensetzung | Al% | / | abgestuft | / | / | / | / | 15% | / | / |
| In % | / | / | / | / | 15% | / | / | / | / | |
| Doping | [Si] | / | / | / | 8.0E+18 | / | 2.0E+17 | / | / | / |
| [Mg] | / | / | / | / | / | / | 1.0E+20 | 3.0E+19 | 2.0E+20 | |
| Länge d'onde Laser | 455 ± 10 nm | |||||||||
| Struktur des Substrats | 20nmP++GaN/60nmP-GaN/30nmP-AlGaN/5nmGaN-QB/3nmInGaN-QW/2800nmN-GaN/800nmUndoped GaN/600nmAlGaN Puffer/330nmAIN/Si(111)Substrate ((1500μm) | |||||||||
| Paket | Verpackt in einem Reinraum der Klasse 100, in einem Behälter mit 25 PCS, in einer Stickstoffatmosphäre | |||||||||
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien in Wafer, Substrate und kundenspezifische optische Glasteile. Komponenten, die in Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir arbeiten auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten zusammen., Forschungseinrichtungen und Unternehmen, bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre FuE-Projekte.Es ist unsere Vision, eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden durch unseren guten Ruf zu erhalten.
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