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5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat
5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Doped Si Type Gan Single Crystal Substrate
5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat 5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat

Großes Bild :  5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD01-001-018
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat

Beschreibung
Produktname: Freistehender GaN Single Crystal Substrate Maße: 5 x10mm-²
Stärke: 350 ±25µm TTV: ≤ 10µm
Bogen: - 10µm ≤ BOGEN ≤ 10µm Versetzungsdichte: Von ⁵ 1 x 10 zu 3 x 10 ⁶ cm⁻ ²
Hervorheben:

5 x 10

,

5 mm2 GaN-Epitaxie-Wafer

,

undotierter Epitaxie-Wafer ISO

5*10mm2SP-Fläche (20-21)/(20-2-1) undotiertes freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom SI-Typ Widerstand > 106Ω·cm HF-Bauelemente-Wafer

 


Überblick
Verschiedene Arten von Generative Adversarial Networks (GANs)

DC GAN – Es ist ein Deep Convolutional GAN....
Conditional GAN ​​und Unconditional GAN ​​(CGAN) – Conditional GAN ​​ist ein neuronales Deep-Learning-Netzwerk, in dem einige zusätzliche Parameter verwendet werden.

 

 

(20-21)/(20-2-1) FAce Free-stAndichNG GAN SubstRaTeS
Artikel

GaN-FS-SP-US

GaN-FS-SP-NS

GaN-FS-SP-SI-S

 

 

 

 

 

 

 

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat 0

 

Bemerkungen:

Zur Unterscheidung von Vorder- und Rückseite wird ein Kreisbogenwinkel (R < 2 mm) verwendet.

Maße 5 x 10 mm2
Dicke 350 ±25 µm
Orientierung

(20-21)/(20-2-1) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5°

(20-21)/(20-2-1) Planabweichungswinkel zur C-Achse - 1 ±0,2°

Leitungstyp N-Typ N-Typ Halbisolierend
Widerstand (300 K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOGEN - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm
Rauheit der Vorderseite

< 0,2 nm (poliert);

oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie)

Rauheit der Rückseite

0,5 ~ 1,5 μm

Option: 1~3 nm (fein geschliffen);< 0,2 nm (poliert)

Versetzungsdichte Ab 1 x 105bis 3 x 106cm-2
Makrodefektdichte 0cm-2
Nutzfläche > 90 % (Randausschluss)
Paket Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in einem 6-PCS-Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre

 

Anhang: Das Diagramm des Fehlschnittwinkels

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxiewafer Undotiertes Si Typ Gan Einkristallsubstrat 1

 

Wenn δ1= 0 ±0,5°, dann ist der (20-21)/(20-2-1) Ebenenabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5°.

Wenn δ2= - 1 ±0,2°, dann ist der (20-21)/(20-2-1) Ebenenversatzwinkel in Richtung der C-Achse -1 ±0,2°.

 

Über uns

Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.

 

 

FAQ

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Wir sind Fabrik.
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In der Regel sind es 3-5 Tage, wenn die Ware auf Lager ist.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Ware nicht auf Lager ist, es ist nach Menge.
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Ja, wir könnten das Muster kostenlos anbieten, zahlen aber nicht die Frachtkosten.
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Zahlung <=5000USD, 100% im Voraus.
Paymen >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Restbetrag vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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