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Produktdetails:
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| Produktname: | GaAs-Si-Wafer | Wachstums-Methode: | VGF |
|---|---|---|---|
| Verhaltenstyp: | S-C-N | Orientierung: | (100) 15 ° ± 0,5 ° Aus Richtung<111>A |
| Orientierungswinkel: | 180° | OF Orientierung: | EJ[0-1-1]±0,5° |
| OF Länge (mm): | 17±1 | IF-Länge (mm): | 7±1 |
2 Zoll GaAs(111) Zn-dotierte Substrate
Überblick
GaAs-Kristalle können durch drei verschiedene Methoden hergestellt werden.Eines der gebräuchlicheren Verfahren ist der vertikale Gradienten-Gefrierprozess, bei dem Kristalle gezüchtet und in Scheiben geschnitten werden, gefolgt von einer Kantenverrundung und einem Polieren zu Wafern.Eine andere Methode ist die Bridgman-Stockbarger-Technik.
| GaAs-Zn-Wafer | |
| Wachstumsmethode | VGF |
| Verhaltenstyp | SCN |
| Dotierstoff | GaAs-Zn |
| Orientierung | (100) 15° ± 0,5° Aus Richtung <111>A |
| Orientierungswinkel | 180° |
| OF Orientierung | EJ[0-1-1]±0,5° |
| OF Länge (mm) | 17±1 |
| IF-Ausrichtung | EJ[0-11]±0,5° |
| IF-Länge (mm) | 7±1 |
| Durchmesser (mm) | 50,8 ± 0,2 |
| CC(/cc) | 0.2E19~4.0E19 |
| Widerstand (ohm.cm) | N / A |
| Mobilität (cm2/vs) | ≥1000 |
| EPD(/cm2) | ≤5000 |
| Dicke (um) | 350±25 |
| TTV (ähm) | <10 |
| TTR (ähm) | <10 |
| Schleife (ähm) | <15 |
| Warp (ähm) | <15 |
| Oberfläche | Seite 1: Poliert Seite 2: Geätzt |
| Epi-bereit | Ja |
| Verpackung | Kassette |
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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