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silicon carbide crystal 4h online manufacture

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kaufen 100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad Politype 4H Online Hersteller

100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad Politype 4H
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100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Lesen Sie weiter
2022-10-09 10:12:00
kaufen 4" P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Online Hersteller

4" P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm
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4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 17:35:24
kaufen 100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm Online Hersteller

100.0mm Silikon-Karbid-Kristall 4" p-Grad 18.0mm
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100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 17:01:26
kaufen Flacher Silikon-Karbid-hauptsächlichkristall 4" der Längen-32.5mm p-Grad 100.0mm Online Hersteller

Flacher Silikon-Karbid-hauptsächlichkristall 4" der Längen-32.5mm p-Grad 100.0mm
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Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 17:01:05
kaufen 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N Online Hersteller

0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N
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0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 17:01:16
kaufen 6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm Online Hersteller

6-Zoll-4H-SiC-Substrat N Typ P SBD-Qualität 350 μm
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6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:23:04
kaufen N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm Online Hersteller

N-Typ 6-Zoll-4H-Siliziumkarbid-Substrat Primäre flache Länge 47,5 mm
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6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:22:34
kaufen 4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht Online Hersteller

4H Politype einzelner Crystal Silicon Carbide 4" p-Grad-Si-Gesicht
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JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Lesen Sie weiter
2022-09-27 17:01:35
kaufen 260 μm Siliziumkarbid-Substrat P-Ebene für Leistungsgeräte und Mikrowellengeräte Online Hersteller

260 μm Siliziumkarbid-Substrat P-Ebene für Leistungsgeräte und Mikrowellengeräte
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4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview We ... Lesen Sie weiter
2024-10-29 11:49:58
kaufen P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend Online Hersteller

P Niveau SI Art 6inch 4H Substrat 150mm sic halb isolierend
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P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Lesen Sie weiter
2022-10-24 10:21:46
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

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