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Produktdetails:
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| Crystal Form: | 4h | Produktname: | Sic Epitaxial- Oblate |
|---|---|---|---|
| Durchmesser: | 150.0mm +0mm/-0.2mm | Oberflächenorientierung: | Aus-Achse: ° 4°toward <11-20>±0.5 |
| Flache hauptsächlichlänge: | 47.5mm ± 1.5mm | Flache zweitenslänge: | Keine Sekundärebene |
| Orthogonales Misorientation: | ±5.0° | Stärke a: | 350.0μm± 25.0μm |
| Hervorheben: | 260um Siliziumkarbid-Substrat,Power Devices Epitaxial Wafer,Siliziumkarbid-Substrat P-Level |
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4H-N/SI<0001>260μm±25μm 2-Zoll-SiC-Substrat P-Level für Leistungsgeräte und Mikrowellengeräte
JDCD03-001-001 2-Zoll-SiC-Substrat P-Level 4H-N/SI<0001>260μm±25μm für Leistungsgeräte und Mikrowellengeräte
Überblick
Wir tragen zur SiC-Erfolgsgeschichte bei, indem wir SiC-Substrate in marktführender Qualität entwickeln und herstellen.Wir haben jahrelange Erfahrung in der SiC-Produktion und einen Unternehmenshintergrund in der Exzellenz der Großserienfertigung.Unser großes und kontinuierlich wachsendes IP-Portfolio stellt sicher, dass unsere Technologie und Herstellungsverfahren geschützt und auf dem neuesten Stand der Technik bleiben.
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Eigentum |
P-MOS-Klasse | P-SBD-Klasse | D-Klasse |
| Kristallform | 4H | ||
| Polytyp | Keine Zulässig | Bereich≤5% | |
| (MPD)A | ≤0,2/cm2 | ≤0,5/cm2 | ≤5 /cm2 |
| Sechskantplatten | Keine Zulässig | Bereich≤5% | |
| Hexagonaler Polykristall | Keine Zulässig | ||
| EinschlüsseA | Fläche ≤ 0,05 % | Fläche ≤ 0,05 % | N / A |
| Widerstand | 0,015 Ω·cm – 0,025 Ω·cm | 0,015 Ω·cm – 0,025 Ω·cm | 0,014 Ω·cm – 0,028 Ω·cm |
| (EPD)A | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N / A |
| (TED)A | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N / A |
| (BPS)A | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)A | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Stapelfehler | ≤0,5 % Fläche | ≤1 % Fläche | N / A |
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Oberflächenmetallkontamination |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Durchmesser | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Oberflächenorientierung | Außerhalb der Achse: 4 ° in Richtung <11-20> ± 0,5 ° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Sekundäre flache Länge | Keine Zweitwohnung | ||
| Primäre flache Ausrichtung | Parallel zu <11-20> ±1° | ||
| Sekundäre flache Ausrichtung | N / A | ||
| Orthogonale Fehlorientierung | ±5,0° | ||
| Oberflächenfinish | C-Fläche: Optische Politur, Si-Fläche: CMP | ||
| Wafer-Rand | Abschrägen | ||
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Oberflächenrauheit (10μm×10μm) |
Si-Fläche Ra ≤ 0,20 nm; C-Fläche Ra ≤ 0,50 nm | ||
| DickeA | 350,0 μm ± 25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)A | ≤2 μm | ≤3 μm | |
| (TTV)A | ≤6 μm | ≤10 μm | |
| (BOGEN)A | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤40 μm |
| (Kette)A | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤60 μm |
| Chips/Einkerbungen | Keine Zulässig ≥0,5 mm Breite und Tiefe | Menge 2 ≤1,0 mm Breite und Tiefe | |
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KratzerA (Si-Gesicht, CS8520) |
≤ 5 und Gesamtlänge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser |
≤5 und Gesamtlänge ≤1,5 × Wafer Durchmesser |
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| TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Risse | Keine Zulässig | ||
| Kontamination | Keine Zulässig | ||
| Eigentum | P-MOS-Klasse | P-SBD-Klasse | D-Klasse |
| Kantenausschluss | 3mm | ||
Hinweis: 3 mm Randausschluss wird für die mit gekennzeichneten Artikel verwendetA.
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
FAQ
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Wir sind Fabrik.
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In der Regel sind es 3-5 Tage, wenn die Ware auf Lager ist.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Ware nicht auf Lager ist, es ist nach Menge.
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Ja, wir könnten das Muster kostenlos anbieten, zahlen aber nicht die Frachtkosten.
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Zahlung <=5000USD, 100% im Voraus.
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Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)
Telefon: +8613372109561
