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Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm

Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
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Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm

Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm
Thickness 370um 430um 2 Inch GaN Epi Wafer Dimensions 50mm
Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm

Großes Bild :  Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm

Produktdetails:
Herkunftsort: Suzhou China
Markenname: GaNova
Zertifizierung: UKAS/ISO9001:2015
Modellnummer: JDCD01-001-020
Zahlung und Versand AGB:
Verpackung Informationen: Vakuumverpackung in einer Reinraumumgebung der Klasse 10000, in Kassetten mit 6 Stück oder Einzelwaf
Lieferzeit: 3-4 Wochentage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000pcs/Month

Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm

Beschreibung
Produktname: 2 Zoll freistehende N-GaNsubstrate Bogen: ≤ 20μm
Orientierungs-Ebene: (1 - 100) ±0.1˚, ± 12,5 1mm Maße: 50,0 ±0.3mm
Stärke: 400 ± 30μm TTV: ≤ 15µm
Hervorheben:

2 Zoll GaN Epi Wafer

,

einzelne Kristallscheibe 370um

,

430um GaN Epi Wafer

Stärke 400 ± 30 μm bemisst 2 Zoll freistehende N-GaNsubstrate 50,0 ±0.3 Millimeter

C-Gesicht 2inch Si-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0="">


Überblick
Die allgemeinste Methode, Metallorganisches chemisches Bedampfen (MOCVD), in sich selbst Ergebnisse in GaN, das durch Kohlenstoff, Sauerstoff und die Silikonatome, die von den Metall-organischen Vorläufern, von den susceptors und von den Reaktorwänden entstehen verseucht wird. Der Umfang einer Verschmutzung hängt komplex von den Wachstumsbedingungen, einschließlich die Wachstumstemperatur, III-/Vverhältnis, GasStrömungsgeschwindigkeit und Reaktordruck ab.

2 Zoll freistehende N-GaNsubstrate

Produktionsebene (P)

Forschung (R)

Attrappe (D)

Zoll GaN Epi Wafer Dimensions der Stärke-370um 430um 2 50mm 0

Anmerkung:

(1) 5 Punkte: die miscut Winkel von 5 Positionen sind 0,55 ±0.15o

(2) 3 Punkte: das miscut angelt von den Positionen (2, 4, 5) sind 0,55 ±0.15o

(3) verwendbarer Bereich: Ausschluss der Peripherie und der Makrodefekte (Löcher)

P+ P P
Einzelteil GaN-FS-C-N-C50-SSP
Maße 50,0 ±0.3 Millimeter
Stärke 400 ± 30 μm
Orientierungsebene (1 - 100) ±0.1o, ± 12,5 1 Millimeter
TTV ≤ 15 μm
BOGEN ≤ 20 μm
Widerstandskraft (300K) ≤ 0,02 Ω·cm für N-artiges (Si-lackiert)
GA-Gesichtsoberflächenrauigkeit <0>
N-Gesichtsoberflächenrauigkeit 0,5 μm ~1,5 (Simplex poliert)
C-Fläche (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse (miscut Winkel)

0,55 ± 0,1O

(5 Punkte)

0.55± 0,15O

(5 Punkte)

0,55 ± 0,15O

(3 Punkte)

Durchzug von Versetzungsdichte ≤ 7,5 x 105 cm2 ≤ 3 x 106 cm2
Zahl und maximale Größe von Löchern in Ф47 Millimeter in der Mitte 0 ≤ 3@1000-μm ≤ 12@1500-μm ≤ 20@3000-μm
Verwendbarer Bereich > 90% >80% >70%
Paket Verpackt in einem Cleanroom im einzelnen Oblatenbehälter

Über uns

Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu kundengebundenem optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Opto Elektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen weil tomizedproducts und Dienstleistungen für ihre R&D-Projekte zur Verfügung. Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten Rufe.

FAQ

Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
Im Allgemeinen ist es 3-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, es ist entsprechend Quantität.
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra?
Ja könnten wir, die Probe für freie Gebühr anbieten aber tragen nicht die Frachtkosten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
Zahlungs- <> Zahlung >=5000USD, 80% T/T im Voraus, Balance vor Versand.

Kontaktdaten
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ansprechpartner: Xiwen Bai (Ciel)

Telefon: +8613372109561

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