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Produktdetails:
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| Maße: | 5 x 10mm ² | Produktname: | freistehender GaN Substrates |
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| Stärke: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ 10µm |
| Versetzungsdichte: | Von ⁵ 1 x 10 zu 3 x 10 ⁶ cm⁻ ² | Makrodefekt-Dichte: | ² 0cm⁻ |
| Hervorheben: | GaN-Galliumnitrid-Wafer,Gan-Halbleitersubstrat,Galliumnitrid-Wafer vom SI-Typ |
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5 * 10,5 mm2SP-Fläche (20-21)/(20-2-1) Undotiertes freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom SI-Typ Widerstand > 106Ω·cm HF-Bauelemente-Wafer
Überblick
Galliumnitrid (GaN) Substrat ist ein hochwertiges Einkristallsubstrat.Es wird mit der ursprünglichen HVPE-Methode und der Wafer-Verarbeitungstechnologie hergestellt, die ursprünglich seit vielen Jahren entwickelt wurde.Die Merkmale sind hochkristallin, gute Gleichmäßigkeit und hervorragende Oberflächenqualität.
| (20-21)/(20-2-1) FAce Free-stAndichNG GAN SubstRaTeS | ||||
| Artikel |
GaN-FS-SP-US |
GaN-FS-SP-NS |
GaN-FS-SP-SI-S |
Bemerkungen: Zur Unterscheidung von Vorder- und Rückseite wird ein Kreisbogenwinkel (R < 2 mm) verwendet. |
| Maße | 5 x 10 mm2 | |||
| Dicke | 350 ±25 µm | |||
| Orientierung |
(20-21)/(20-2-1) Planabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5° (20-21)/(20-2-1) Planabweichungswinkel zur C-Achse - 1 ±0,2° |
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| Leitungstyp | N-Typ | N-Typ | Halbisolierend | |
| Widerstand (300 K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| BOGEN | - 10 µm ≤ BOGEN ≤ 10 µm | |||
| Rauheit der Vorderseite |
< 0,2 nm (poliert)； oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie) |
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| Rauheit der Rückseite |
0,5 ~ 1,5 μm Option: 1~3 nm (fein geschliffen);< 0,2 nm (poliert) |
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| Versetzungsdichte | Ab 1 x 105bis 3 x 106cm-2 | |||
| Makrodefektdichte | 0cm-2 | |||
| Nutzfläche | > 90 % (Randausschluss) | |||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in einem 6-PCS-Behälter, unter einer Stickstoffatmosphäre | |||
Anhang: Das Diagramm des Fehlschnittwinkels
Wenn δ1= 0 ±0,5°, dann ist der (20-21)/(20-2-1) Ebenenabweichungswinkel zur A-Achse 0 ±0,5°.
Wenn δ2= - 1 ±0,2°, dann ist der (20-21)/(20-2-1) Ebenenversatzwinkel in Richtung der C-Achse -1 ±0,2°.
Über uns
Wir sind spezialisiert auf die Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien zu Wafern, Substraten und kundenspezifischen optischen Glasteilen. Komponenten, die in der Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Bereichen weit verbreitet sind.Wir haben auch eng mit vielen inländischen und ausländischen Universitäten, Forschungseinrichtungen und Unternehmen zusammengearbeitet und bieten maßgeschneiderte Produkte und Dienstleistungen für ihre F&E-Projekte an.Es ist unsere Vision, durch unseren guten Ruf eine gute Beziehung der Zusammenarbeit mit allen unseren Kunden aufrechtzuerhalten.
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