CHINA Sic Epitaxial- Oblate

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  4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer

  Min Bestellmenge:5

  Preis:1000

  Verpackung Informationen:Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, im Behälter 25PCS, unter einer Stickstoffatmosphäre

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  SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω P Niveau Substrat 4inch 4H-SiC·cm für Energie und Mikrowelle

  Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

  Durchmesser:100,0 mm+0,0/-0,5 mm

  Oberflächenorientierung:{0001}±0,2°

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  4-Zoll-4H-SiC-Substrat P-Level SI 500,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,3/Cm2 Resistivity ≥ 1E9Ω·Cm Für Strom und Mikrowelle

  Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

  Durchmesser:100,0 mm+0,0/-0,5 mm

  Oberflächenorientierung:{0001}±0,2°

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