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Sic Epitaxial- Oblate

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350 um 4H SiC-Substrat

Sic n-Art Substrat

sic Epitaxial- Oblate 6inch

CHINA Sic Epitaxial- Oblate

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Crystal Form:4h

Oberflächenende:C-Gesicht: Optisches Polnisches, Si-Gesicht: CMP
4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,5/Cm2 Widerstand 0,015 Ω·Cm – 0,025 Ω·Cm

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Crystal Form:4h

Durchmesser:100,0 mm+0,0/-0,5 mm
2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer

Abmessungen:2 Zoll

Widerstandsfähigkeit ((300K):< 350 Ω/□

Elektronenkonzentration:> 1800 cm2/V·S
2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer für Power-Gerät

Abmessungen:2 Zoll

Widerstandsfähigkeit ((300K):< 350 Ω/□

Elektronenkonzentration:> 1800 cm2/V·S
6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si

Abmessungen:6 Zoll

Widerstandsfähigkeit ((300K):< 350 Ω/□

Elektronenkonzentration:> 9,0E12 cm-2
Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer

Abmessung:2 - 4 Zoll

Min Bestellmenge:5

Verpackung Informationen:Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, im Behälter 25PCS, unter einer Stickstoffatmosphäre
2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium

Abmessung:2 Zoll

Min Bestellmenge:5

Verpackung Informationen:Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, im Behälter 25PCS, unter einer Stickstoffatmosphäre
2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium

Abmessung:2 Zoll

Min Bestellmenge:5

Verpackung Informationen:Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, im Behälter 25PCS, unter einer Stickstoffatmosphäre
GaN-violettes Laser auf Silizium 2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi-Wafer UV LD Epi-Wafer

Abmessungen:2 Zoll

IQE:Unbekannt

interne Verluste:Unbekanntes
AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si

Abmessungen:2 Zoll

Widerstandsfähigkeit ((300K):< 350 Ω/□

Elektronenkonzentration:> 9,0E12 cm-2
4 Zoll uGaN auf Silizium undoped Galliumnitrid auf Silizium Epitaxial Wafer

Abmessung:4inch

Zwei-Kristalline002:< 550 Arcsec

Biokristalline102:< 550 Arcsec
4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer

Min Bestellmenge:5

Preis:1000

Verpackung Informationen:Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, im Behälter 25PCS, unter einer Stickstoffatmosphäre

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2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer

2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer für Power-Gerät

6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si

Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer

2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium

2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium

GaN-violettes Laser auf Silizium 2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi-Wafer UV LD Epi-Wafer

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Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP