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Sic Epitaxial- Oblate

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350 um 4H SiC-Substrat

Sic n-Art Substrat

sic Epitaxial- Oblate 6inch

CHINA Sic Epitaxial- Oblate

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 47,5 mm ± 1,5 mm

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Oberflächenorientierung:Aus-Achse: ° 4°toward <11-20>±0.5

Flache hauptsächlichlänge:47.5mm ± 1.5mm
2-Zoll-SiC-Substrat 350 μm für anspruchsvolle Leistungselektronik

Crystal Form:4h

Produktname:diameterSilicon 2inch Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation

Durchmesser:50.8mm±0.38mm
0.015Ω•cm-0.025Ω•Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP cm sic

Produktname:6 Zoll Durchmesser Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation

Flache hauptsächlichorientierung:{10-10} ±5.0°

Crystal Form:4h
Nein Sekundäres flaches SiC-Substrat 150,0 mm 47,5 mm

Crystal Form:4h

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Durchmesser:150.0mm +0mm/-0.2mm
Polytyp Keine Zulässig SiC-Epitaxie-Wafer P-MOS P-SBD D-Qualität

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Flache hauptsächlichlänge:47.5mm ± 1.5mm

Durchmesser:150.0mm +0mm/-0.2mm
260 μm Siliziumkarbid-Substrat P-Ebene für Leistungsgeräte und Mikrowellengeräte

Crystal Form:4h

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Durchmesser:150.0mm +0mm/-0.2mm
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 4H-Kristallform

Durchmesser:150.0mm +0mm/-0.2mm

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Oberflächenorientierung:Aus-Achse: ° 4°toward <11-20>±0.5
P MOS Grade 2 bewegen sic Epi-Wafer-P Niveau P SBD ordnen d-Grad 150.0mm Schritt für Schritt fort

Crystal Form:4h

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Durchmesser:150.0mm +0mm/-0.2mm
4H sic Epitaxial- Oblate ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Crystal Form:4h

Polytype:Keine ermöglichten
2 Zoll-Halbleiterwafer-P Niveau 260μm für Starkstromgerät-Mikrowellen-Geräte

Crystal Form:4h

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Durchmesser:150.0mm +0mm/-0.2mm
4H SiC-Epitaxialwafer SiC-Wafer-Substrat für photonische Geräte ISO9001

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

Crystal Form:4h

Durchmesser:150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm
6 Zoll 4H SiC N-Substrat 47,5 mm Keine sekundäre Ebene

Crystal Form:4h

Oberflächenmetallkontamination:(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤ 1E11cm&supmin;²

Produktname:Sic Epitaxial- Oblate

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2-Zoll-SiC-Substrat 350 μm für anspruchsvolle Leistungselektronik

0.015Ω•cm-0.025Ω•Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP cm sic

Nein Sekundäres flaches SiC-Substrat 150,0 mm 47,5 mm

Polytyp Keine Zulässig SiC-Epitaxie-Wafer P-MOS P-SBD D-Qualität

260 μm Siliziumkarbid-Substrat P-Ebene für Leistungsgeräte und Mikrowellengeräte

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC-Epitaxialwafer 4H-Kristallform

P MOS Grade 2 bewegen sic Epi-Wafer-P Niveau P SBD ordnen d-Grad 150.0mm Schritt für Schritt fort

4H sic Epitaxial- Oblate ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm

2 Zoll-Halbleiterwafer-P Niveau 260μm für Starkstromgerät-Mikrowellen-Geräte

4H SiC-Epitaxialwafer SiC-Wafer-Substrat für photonische Geräte ISO9001

6 Zoll 4H SiC N-Substrat 47,5 mm Keine sekundäre Ebene

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Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

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Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP