CHINA Sapphire Wafer

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  Spiegel polierte Sapphire Wafer EPI bereiter Front Surface

  Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

  Material:Hoher Reinheitsgrad Al ₂ O ₃ μm (>99.995%)

  Stärke:430 ±10μm

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  JDCD08-001-007 8-Zoll-C-Plane-Saphir-Substratwafer

  Material:Hoher Reinheitsgrad Al2O3 (>99.995%)

  Oberflächenorientierung:C-Fläche (0001)

  R-Fläche:R9

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  JDCD08-001-006 6inch C-Fläche Sapphire Substrate Wafer

  Material:Hoher Reinheitsgrad Al2O3 (>99.995%)

  Oberflächenorientierung:C-Fläche (0001)

  Stärke:625 ±15μm

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  JDCD08-001-005 4-Zoll-R-Plane-Saphir-Substratwafer

  Material:Hoher Reinheitsgrad Al2O3

  Durchmesser:100.0±0.2mm

  Stärke:460±25μm

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  JDCD08-001-004 2inch R-Fläche Sapphire Substrate Wafer

  Oberflächenorientierung:R-Ebene, 0 ± 0,1 °

  Flache Orientierung:C auf R,CCW45±1°

  Stärke:μm 500±15

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  JDCD08-001-002 2inch Ein-Fläche Sapphire Substrate Wafer

  Oberflächenorientierung:Ein-Fläche (11-20)

  Stärke:430 ± 10 μm

  R-Fläche:R9

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  JDCD08-001-003 2-Zoll-M-Plane-Saphir-Substratwafer

  Oberflächenorientierung:M-Fläche (1010)

  Stärke:430 ± 10 μm

  Flache Orientierung:Ein-Fläche (11-20)

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