Referenzen |
Startseite Produktefree standing gan substrates Online-Hersteller
Alle Produkte

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial- Oblate

(39)

GaAs-Epi-Wafer

(15)

CVD-Diamantsubstrate

(15)

Schnelles thermisches Vergütungssystem

(2)

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

(3)

Aluminium-Nitrid-Oblate

(21)

Laserdiode-Chip

(10)

Silikon-Karbid-Kristall

(12)

Ga2O3-Wafer

(13)

Siliziumscheibe

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Kopierte Sapphire Substrates

(10)

oblaten-Halter

(1)

Wafer-Dicing-Maschine

(5)
Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
Ich bin online Chat Jetzt

free standing gan substrates online manufacture

(57)
kaufen µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm Online Hersteller

µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm
Kontakt

10*10.5mm2 C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Lesen Sie weiter
2025-04-04 22:43:27
kaufen Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15° Online Hersteller

Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15°
Kontakt

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview The features are high crystalline, good uniformity, and superior surface quality. ... Lesen Sie weiter
2025-04-04 22:43:30
kaufen 0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing Online Hersteller

0.6mm 0.8mm Ga2O3 einzelner Crystal Substrate Single Polishing
Kontakt

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Lesen Sie weiter
2024-10-29 11:49:58
kaufen Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm Online Hersteller

Einseitig poliertes Ga2O3-Substrat Einkristalldicke 0,6 mm 0,8 mm
Kontakt

Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0... Lesen Sie weiter
2023-02-17 14:30:35
kaufen GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat Online Hersteller

GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat
Kontakt

Un-Doped Freestanding GaN Substrate 1, Overview of Gallium Nitride Single Crystal Substrate(GaN substrate) Gallium nitride single crystal substrate (GaN substrate)is an important component required in the ... Lesen Sie weiter
2024-12-06 17:45:14
kaufen Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C Online Hersteller

Fläche des Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer-325um 375um C
Kontakt

2-inch Free-standing SI-GaN Substrates An epitaxial wafer (also called epi wafer, epi-wafer, or epiwafer) is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (epitaxy) for use in photonics, ... Lesen Sie weiter
2024-10-29 11:49:57
kaufen Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um Online Hersteller

Einkristall-Galliumnitrid-Halbleiterwafer TTV 10um
Kontakt

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN substrate has a damage-free, very flat (Rms < 0.2 nm), controlled surface ... Lesen Sie weiter
2024-10-29 11:49:57
Page 6 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
über

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

NACHRICHT HINTERLASSEN

Datenschutz-Bestimmungen | CHINA Gut Qualität GaN Epitaxial Wafer Anbieter. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.