Referenzen |
Startseite Produktefree standing gan substrates Online-Hersteller
Alle Produkte

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial- Oblate

(39)

GaAs-Epi-Wafer

(15)

CVD-Diamantsubstrate

(15)

Schnelles thermisches Vergütungssystem

(2)

Tester für Hall-Effekt-Sensoren

(3)

Aluminium-Nitrid-Oblate

(21)

Laserdiode-Chip

(10)

Silikon-Karbid-Kristall

(12)

Ga2O3-Wafer

(13)

Siliziumscheibe

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Kopierte Sapphire Substrates

(10)

oblaten-Halter

(1)

Wafer-Dicing-Maschine

(5)
Bescheinigung
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. zertifizierungen
Ich bin online Chat Jetzt

free standing gan substrates online manufacture

(57)
kaufen JDCD04-001-007 10 x 10 mm2 (010) Sn-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristall-Substrat Produktqualität Einzelpolierung Online Hersteller

JDCD04-001-007 10 x 10 mm2 (010) Sn-dotiertes freistehendes Ga2O3-Einkristall-Substrat Produktqualität Einzelpolierung
Kontakt

10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 1.53E+18Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers ... Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:51
kaufen JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lackierte freistehendes Ga2O3 einzelnes Crystal Substrate Product Grade einzelnes Polnisch Online Hersteller

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lackierte freistehendes Ga2O3 einzelnes Crystal Substrate Product Grade einzelnes Polnisch
Kontakt

10x10mm2 (-201) Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Resistance Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:51
kaufen JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren Online Hersteller

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Aus 6°) Fe Doped frei stehend Ga2O3 Einkristall Substrat Produktqualität Einfachpolieren
Kontakt

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Lesen Sie weiter
2025-04-27 11:43:51
kaufen 4 Zoll Fe-Doppierte freistehende GaN-Substrat Galliumnitrid Online Hersteller

4 Zoll Fe-Doppierte freistehende GaN-Substrat Galliumnitrid
Kontakt

Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) ... Lesen Sie weiter
2024-12-06 17:42:36
kaufen Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate Online Hersteller

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Kontakt

M Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0.2 Nm (Polished) Or < 0.3 nm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser ... Lesen Sie weiter
2022-10-08 17:19:48
kaufen Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung Online Hersteller

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung
Kontakt

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The growth characteristics of Fe-doped GaN epitaxial layers on semi-insulating SiC (001) substrates ... Lesen Sie weiter
2024-10-14 17:06:30
kaufen 375 um GaN-Epitaxialwafer, freistehende U-GaN-SI-GaN-Substrate Online Hersteller

375 um GaN-Epitaxialwafer, freistehende U-GaN-SI-GaN-Substrate
Kontakt

350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview ... Lesen Sie weiter
2024-11-18 19:17:19
kaufen GaN-Galliumnitrid-Wafer Dicke 325 um - 375 um Freistehend Online Hersteller

GaN-Galliumnitrid-Wafer Dicke 325 um - 375 um Freistehend
Kontakt

5*10.5mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer The freestanding GaN ... Lesen Sie weiter
2022-10-08 17:00:13
kaufen Einzelkristall Gan Epi Wafer Galliumnitrid Substrat 4 Zoll Online Hersteller

Einzelkristall Gan Epi Wafer Galliumnitrid Substrat 4 Zoll
Kontakt

Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material... Lesen Sie weiter
2024-12-06 17:44:01
kaufen SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um Online Hersteller

SP-Fläche 5 x 10 mm2 Galliumnitrid-Substrat 350 um
Kontakt

5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Lesen Sie weiter
2022-10-08 16:41:01
Page 4 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
über

GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

2-Zoll-freistehende SI-GaN-Substrate

Sic Epitaxial- Oblate

Abschrägen von SiC-Epitaxialwafern 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

Einzelner Kristall-sic Epitaxial- Oblaten-C-Gesichts-optischer polnischer Si-Gesicht CMP

NACHRICHT HINTERLASSEN

Datenschutz-Bestimmungen | CHINA Gut Qualität GaN Epitaxial Wafer Anbieter. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.