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free standing gan substrates online manufacture

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kaufen Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um Online fabricant

Freie Stellung U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 Millimeter 350 um
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2022-10-08 17:12:14
kaufen Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm Online fabricant

Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm
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2025-04-27 11:43:51
kaufen SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2 Online fabricant

SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2
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2025-04-27 11:43:51
kaufen 5*10mm2 SP-Gesicht Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Widerstand 0,05 Ω·cm Online fabricant

5*10mm2 SP-Gesicht Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Widerstand 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
kaufen F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte Online fabricant

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte
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2024-10-29 11:49:57
kaufen 2 Zoll U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm Online fabricant

2 Zoll U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
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2024-10-14 17:06:30
kaufen Freistehende N-GaN-Substrate N-Oberflächenrauheit 0,5 um bis 1,5 um Online fabricant

Freistehende N-GaN-Substrate N-Oberflächenrauheit 0,5 um bis 1,5 um
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2022-10-08 17:14:45
kaufen 50.8mm Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer 2 Zoll-freie Stellung Online fabricant

50.8mm Gallium-Nitrid-Halbleiterwafer 2 Zoll-freie Stellung
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2022-10-08 17:22:16
kaufen 10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer Online fabricant

10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer
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2025-04-27 11:43:51
kaufen C-Gesicht GaN Substrate Online fabricant

C-Gesicht GaN Substrate
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2022-10-09 17:03:25
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GaN Epitaxial Wafer

Gesichts-F.E. 2inch GaN Epitaxial Wafer C lackierte SI Art freie Stellung

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

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Sic Epitaxial- Oblate

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4H-Kristallform-SiC-Epitaxie-Wafer Kantenabschrägung 350,0 µm ± 25,0 µm

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